| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 100V에서 15mA |
| 장착형: | 스터드 장착 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.3V @ 300A |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 50V에서 200nA |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 15 마에 있는 1 Ｖ |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 150V에서 1μA |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 875mV @ 1A |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 500nA @ 125V |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.1V @ 200mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 500nA @ 1000V |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.3V @ 3A |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 250μA @ 1200V |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 2.5V @ 15A |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 512Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴® |
| 시리즈: | - |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 50nA @ 50V |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 100mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 정류기 단일 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 1μA @ 50V |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 875mV @ 1A |
