| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 32Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴® |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 500nA @ 44.6V |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 62 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 1A |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 512Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 500nA @ 31V |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 43V |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 1A |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 512Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 16Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴® |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 500nA @ 20.1V |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 28 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 1A |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 512Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 32Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴® |
| 분류: | 융합 회로 (IC) 기억력 기억력 |
|---|---|
| 메모리 용량: | 1Kbit |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 테이프 & 롤 (TR) 절단 테이프 (CT) 디기 릴® |
| 분류: | 개별 반도체 제품 다이오드 제너 단일 제너 다이오드 |
|---|---|
| 제품 상태: | 액티브 |
| 경향 - Vr에 있는 역누출: | 12.2V에서 500nA |
| 전압 - 제너 (Nom) (프즈): | 17 Ｖ |
| 전압 - 조건에 있는 포워드 (Vf) (맥스): | 1.2V @ 1A |
