IC 통합 회로 APT77N60JC3
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 3.9V @ 5.4mA |
작동 온도: | -55' C ~ 150' C (TJ) |
패키지 / 케이스: | SOT-227-4, 미니브로크 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 3.9V @ 5.4mA |
작동 온도: | -55' C ~ 150' C (TJ) |
패키지 / 케이스: | SOT-227-4, 미니브로크 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 5V |
작동 온도: | -55' C ~ 150' C (TJ) |
패키지 / 케이스: | TO-247-3 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 5V |
작동 온도: | -55' C ~ 150' C (TJ) |
패키지 / 케이스: | TO-247-3 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 4V @ 5mA |
작동 온도: | -55' C ~ 150' C (TJ) |
패키지 / 케이스: | SOT-227-4, 미니브로크 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다: | 11nC @ 20V |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 구멍을 통해 |
패키지: | 튜브 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 5V @ 2.5mA |
작동 온도: | -55' C ~ 150' C (TJ) |
패키지 / 케이스: | SOT-227-4, 미니브로크 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 2.8V |
작동 온도: | -55' C ~ 175' C (TJ) |
패키지 / 케이스: | TO-247-3 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 3.5V @ 3.4mA |
작동 온도: | -55' C ~ 150' C (TJ) |
패키지 / 케이스: | TO-247-3 변형 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 5V |
작동 온도: | -55' C ~ 150' C (TJ) |
패키지 / 케이스: | TO-247-3 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | 고갈 모드 |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | - |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 구멍을 통해 |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 2V |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 구멍을 통해 |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 3.5V @ 10mA |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | 고갈 모드 |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 구멍을 통해 |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | - |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 구멍을 통해 |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 2V |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 구멍을 통해 |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 2V |