| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 30,9 В @ 5,4 мА |
| Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | ТО-247-3 |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | ТО-247-3 |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 4В @ 5mA |
| Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs: | 11 nC @ 20 V |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Пакет: | Трубка |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5 В @ 2,5 мА |
| Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 2.8V @ 1mA |
| Операционная температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | ТО-247-3 |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 3.5В @ 3.4mA |
| Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | TO-247-3 вариант |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | ТО-247-3 |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | Режим исчерпания |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | - |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 3.5В @ 10mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | Режим исчерпания |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | - |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 2V @ 1mA |
