Интегрированные схемы IC VN2460N3-G
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 4В @ 2mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 4В @ 2mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 3.5В @ 10mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 2.4В @ 10mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 2.4В @ 1mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 1.7В @ 250μA |
| Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | 8-PowerTDFN |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | TO-268-3, D3Pak (2 лиды + Таб), TO-268AA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5В @ 500μA |
| Операционная температура: | - |
| Пакет / чемодан: | TO-268-3, D3Pak (2 лиды + Таб), TO-268AA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 3.5В @ 10mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | - |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | ТО-247-3 |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | TO-268-3, D3Pak (2 лиды + Таб), TO-268AA |
