| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 4V @ 2mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 3.5V @ 10mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2.4V @ 10mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 1.7V @ 250 μA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | 8-PowerTDFN |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5V @ 500μA |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| Envase / estuche: | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 3.5V @ 10mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | - |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | TO-247-3 |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef |
