| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 3.9V @ 5,4 mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | TO-247-3 |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | TO-247-3 |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 4V @ 5mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | Las demás: |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Paquete: | El tubo |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5 V @ 2,5 mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2.8V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Envase / estuche: | TO-247-3 |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 3.5V @ 3.4mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | TO-247-3 Variante |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | TO-247-3 |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | Modo de agotamiento |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | - |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 3.5V @ 10mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | Modo de agotamiento |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | - |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2V @ 1mA |
