Circuitos integrados IC VN2460N3-G
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 4V @ 2mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 4V @ 2mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 10mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 10mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 1.7V @ 250μA |
| Temperatura de funcionamento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Embalagem / Caixa: | 8-PowerTDFN |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Embalagem / Caixa: | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 5V @ 500μA |
| Temperatura de funcionamento: | - |
| Embalagem / Caixa: | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 10mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | - |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Embalagem / Caixa: | TO-247-3 |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Embalagem / Caixa: | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
