| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Prąd — upływ wsteczny @ Vr: | 100 nA @ 175 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 1 V przy 100 mA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Prąd — upływ wsteczny @ Vr: | 500 nA przy 75 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 1 V przy 200 mA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Prąd — upływ wsteczny @ Vr: | 400 µA przy 20 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 450 mV @ 1 A |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Prąd — upływ wsteczny @ Vr: | 100 µA przy 60 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 600 mV @ 1 A |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał N |
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | Tryb wyczerpania |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | - |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Pakiet: | rurka |
| Zestaw: | - |
| Mfr: | Technologia mikroczipów |
| Kategoria: | Obwody zintegrowane Zarządzanie energią (PMIC) Nadzorcy |
|---|---|
| Zresetować: | Aktywny niski |
| Status produktu: | Aktywny |
| Napięcie — próg: | 4,625 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Kategoria: | Obwody zintegrowane Zarządzanie energią (PMIC) Nadzorcy |
|---|---|
| Zresetować: | Aktywny niski |
| Status produktu: | Aktywny |
| Napięcie — próg: | 4,375 V |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Prąd — upływ wsteczny @ Vr: | 10 µA przy 50 V |
| Rodzaj montażu: | Mocowanie kołka |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 950 mV @ 20 A |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Prąd — upływ wsteczny @ Vr: | 5 μA @ 200 V |
| Rodzaj montażu: | Mocowanie kołka |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 2.2 V @ 10 A |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Prąd — upływ wsteczny @ Vr: | 500 nA przy 75 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 1,2 V przy 100 mA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Prąd — upływ wsteczny @ Vr: | 100 µA przy 20 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 500 mV @ 3 A |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Prąd — upływ wsteczny @ Vr: | 5 µA przy 150 V |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 875 mV przy 4 A |
