| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 100 nA @ 175 V |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1 V @ 100 mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 500 nA @ 75 V |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1 V @ 200 mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 400 μA @ 20 V |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 450 mV @ 1 A |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 100 μA @ 60 V |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 600 mV @ 1 A |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Identificação de Vgs (th) (máximo) @: | 2.4V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | Modo de esgotamento |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Identificação de Vgs (th) (máximo) @: | - |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Pacote: | Tubos |
| Série: | - |
| Mfr: | Tecnologia de microchip |
| Categoria: | Circuitos integrados (CI) Gestão de energia (PMIC) Supervisores |
|---|---|
| Reiniciar: | Ponto baixo ativo |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tensão - ponto inicial: | 4.625V |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Categoria: | Circuitos integrados (CI) Gestão de energia (PMIC) Supervisores |
|---|---|
| Reiniciar: | Ponto baixo ativo |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tensão - ponto inicial: | 4.375V |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 10 μA @ 50 V |
| Tipo de montagem: | Montagem do parafuso prisioneiro |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 950 mV @ 20 A |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 5 μA @ 200 V |
| Tipo de montagem: | Montagem do parafuso prisioneiro |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 2.2 V @ 10 A |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 500 nA @ 75 V |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1.2 V @ 100 mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 100 μA @ 20 V |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 500 milivolt @ 3 A |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 5 μA @ 150 V |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 875 mV @ 4 A |
