logo
คำหลัก [ ic integrated circuits ] การจับคู่ 67354 ผลิตภัณฑ์.
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B128M32D1DS-062 AUT:A

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B128M32D1DS-062 AUT:A

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR4
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M29W320EB70ZE6E

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M29W320EB70ZE6E

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 70ns
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q032A13ESE40E

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q032A13ESE40E

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT40A256M16GE-083E AAT:B

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT40A256M16GE-083E AAT:B

เทคโนโลยี :: SDRAM - DDR4
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M45PE40-VMW6G

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M45PE40-VMW6G

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 มิลลิวินาที, 3 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MTFC4GLMDQ-AIT Z

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MTFC4GLMDQ-AIT Z

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M25P40-VMN6P

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M25P40-VMN6P

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M45PE10S-VMN6P

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M45PE10S-VMN6P

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 3 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M25P16-VMF6P

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M25P16-VMF6P

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M25PX32-VMF6E

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M25PX32-VMF6E

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT41K128M16JT-125 AUT:K

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT41K128M16JT-125 AUT:K

เทคโนโลยี :: SDRAM - DDR3L
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา RC28F256J3C125

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา RC28F256J3C125

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 125ns
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M25PE80-VMN6P

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M25PE80-VMN6P

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 มิลลิวินาที, 3 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้