logo
คำหลัก [ ic integrated circuits ] การจับคู่ 67354 ผลิตภัณฑ์.
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา TE28F320C3TD70A

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา TE28F320C3TD70A

เทคโนโลยี :: แฟลช - บล็อกการบูต
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 70ns
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B128M32D1NP-062 AIT:A

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B128M32D1NP-062 AIT:A

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR4
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M25P80-VMN6P

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M25P80-VMN6P

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M25P64S-VMF6P

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M25P64S-VMF6P

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46V128M4CY-5B:J

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46V128M4CY-5B:J

เทคโนโลยี :: SDRAM - DDR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT41K512M8DA-125:P

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT41K512M8DA-125:P

เทคโนโลยี :: SDRAM - DDR3L
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M25P20-VMN6PBA

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M25P20-VMN6PBA

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M25P128-VMFPBALT

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา M25P128-VMFPBALT

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 มิลลิวินาที, 7 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F64G08CBCGBWP-B:G

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F64G08CBCGBWP-B:G

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา PZ28F064M29EWTX

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา PZ28F064M29EWTX

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 60ns
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT25QU512ABB8E12-0AUT

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT25QU512ABB8E12-0AUT

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 8 มิลลิวินาที, 2.8 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา PZ28F032M29EWTA

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา PZ28F032M29EWTA

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 60ns
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F4G01ADAGDSF-IT:G

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F4G01ADAGDSF-IT:G

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา PN28F256M29EWHA

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา PN28F256M29EWHA

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 100ns
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้