logo
คำหลัก [ ic integrated circuits ] การจับคู่ 67354 ผลิตภัณฑ์.
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT40A2G4WE-083E:B TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT40A2G4WE-083E:B TR

เทคโนโลยี :: SDRAM - DDR4
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT48LC16M16A2B4-6A AAT:G TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT48LC16M16A2B4-6A AAT:G TR

เทคโนโลยี :: เอสดีแรม
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 12 น
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q128A13ESF40E

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q128A13ESF40E

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR3
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT48LC16M16A2B4-6A XIT:G TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT48LC16M16A2B4-6A XIT:G TR

เทคโนโลยี :: เอสดีแรม
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 12 น
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q256A13E1240E

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q256A13E1240E

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F64G08CFACAWP:C TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F64G08CFACAWP:C TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q512A13GSF40G

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q512A13GSF40G

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT48LC16M16A2B4-6A AIT:G TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT48LC16M16A2B4-6A AIT:G TR

เทคโนโลยี :: เอสดีแรม
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 12 น
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q128A11EF840E

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q128A11EF840E

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q00AA13GSF40G

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q00AA13GSF40G

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q512A83G1240E

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q512A83G1240E

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT25QU01GBBB8E12-0SIT TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT25QU01GBBB8E12-0SIT TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 8 มิลลิวินาที, 2.8 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT48LC8M16A2B4-6A:L TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT48LC8M16A2B4-6A:L TR

เทคโนโลยี :: เอสดีแรม
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 12 น
ติดต่อตอนนี้