logo
คำหลัก [ ic integrated circuits ] การจับคู่ 67354 ผลิตภัณฑ์.
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT44K16M36RB-125:A

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT44K16M36RB-125:A

เทคโนโลยี :: แรม
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT25QL128ABA1ESE-MSIT TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT25QL128ABA1ESE-MSIT TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 8 มิลลิวินาที, 2.8 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT25QU256ABA8ESF-0SIT TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT25QU256ABA8ESF-0SIT TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 8 มิลลิวินาที, 2.8 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F2G08ABBEAHC:E TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F2G08ABBEAHC:E TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F32G08AFABAWP-IT:B TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F32G08AFABAWP-IT:B TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT25QL256ABA1EW7-0SIT TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT25QL256ABA1EW7-0SIT TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 8 มิลลิวินาที, 2.8 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา RC28F128P33TF60A

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา RC28F128P33TF60A

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 60ns
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา RC28F640P33BF60A

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา RC28F640P33BF60A

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 60ns
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H128M32L2KQ-48 WT:C

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H128M32L2KQ-48 WT:C

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPDDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 14.4ns
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT25QL256ABA1EW9-0SIT TR

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT25QL256ABA1EW9-0SIT TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 8 มิลลิวินาที, 2.8 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46V32M16TG-5B:J

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46V32M16TG-5B:J

เทคโนโลยี :: SDRAM - DDR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MTFC8GLGDM-AIT Z

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MTFC8GLGDM-AIT Z

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้