logo
ส่งข้อความ
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q128A13ESEH0E ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q128A13ESEH0E

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H128M16LFB7-6 IT:B TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H128M16LFB7-6 IT:B TR

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPDDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDFA232A2MA-JD-F-D ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDFA232A2MA-JD-F-D

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR3
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPDDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q064A13EW94ME ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q064A13EW94ME

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDF8164A3MA-JD-F-D ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDF8164A3MA-JD-F-D

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR3
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C TR

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPDDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDB1316BDBH-1DIT-F-D ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDB1316BDBH-1DIT-F-D

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR2
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPDDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H32M32LFB5-5 AT:B TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H32M32LFB5-5 AT:B TR

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPDDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR

เทคโนโลยี :: แฟลช - NAND
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDB4416BBBH-1DIT-F-D ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา EDB4416BBBH-1DIT-F-D

เทคโนโลยี :: SDRAM - มือถือ LPDDR2
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: -
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H64M32LFCX-48 IT:B TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H64M32LFCX-48 IT:B TR

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPDDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 14.4ns
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q032A11EF440E ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา N25Q032A11EF440E

เทคโนโลยี :: แฟลช - NOR
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ไม่ลบเลือน
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 8 มิลลิวินาที, 5 มิลลิวินาที
ติดต่อตอนนี้
ราคาดี เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H64M32LFCX-5 IT:B TR ออนไลน์

เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT46H64M32LFCX-5 IT:B TR

เทคโนโลยี :: SDRAM - LPDDR มือถือ
ประเภทสินค้า :: ไอซีหน่วยความจำ
ประเภทหน่วยความจำ :: ระเหย
Factory Stock :: 0
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: 15 วินาที
ติดต่อตอนนี้