เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B2DANL-DC
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | เอสดีแรม |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 12 น |
| เทคโนโลยี :: | - |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | - |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | เอสดีแรม |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 12 น |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND, LPDRAM มือถือ |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | เอสดีแรม |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 12 น |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR2 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| Factory Stock :: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
