เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT29TZZZ7D6JKKFB-107 W.96V
| เทคโนโลยี :: | - |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | - |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | - |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | - |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR2 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช PSRAM |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | - |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | - |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR4 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR4 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR4 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR4 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | - |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | - |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR4 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | - |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | - |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
| เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR4 |
|---|---|
| ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
| ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
| สต็อกโรงงาน:: | 0 |
| เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
