เครื่องวงจรบูรณาการความจํา MT53B512M32D2NP-062 WT:D
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - DDR2 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | 15 วินาที |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SGRAM-GDDR5 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR3 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | แฟลช - NAND |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ไม่ลบเลือน |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR3 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR3 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |
เทคโนโลยี :: | SDRAM - มือถือ LPDDR4 |
---|---|
ประเภทสินค้า :: | ไอซีหน่วยความจำ |
ประเภทหน่วยความจำ :: | ระเหย |
สต็อกโรงงาน:: | 0 |
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :: | - |