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MK20DX256VLK10 IC-Integrierte Schaltungen LQFP-80 Mikrocontroller

MK20DX256VLK10 IC-Integrierte Schaltungen LQFP-80 Mikrocontroller

RoHS: Details
Montageart: SMD/SMT
Paket: LQFP-80
Fabrikverpackung: 480
Art der Ware: Mikroregler
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IC-Integrierte Schaltungen SPC574K72E5C6FAR TQFP-144 Mikrocontroller

IC-Integrierte Schaltungen SPC574K72E5C6FAR TQFP-144 Mikrocontroller

ROHS: PB frei
Montageart: SMD/SMT
Paket: TQFP-144
Reihe: SPC 574K72E5
Fabrik-Satz-Quantität: 800
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Drahtloses &amp IC-integrierter Schaltungen ESP8684H2 QFN-24; Rf-integrierte Schaltungen

Drahtloses &amp IC-integrierter Schaltungen ESP8684H2 QFN-24; Rf-integrierte Schaltungen

Mfr. #: ESP8684H2
Mfr.: Espressif-Systeme
Beschreibung: Rf-Ein-Chip-System - Soc SMD IC ESP8684H2, einkerniges MCU, & 2.4G Wi-Fi; BLE 5,0 kombiniert, Sti
Fabrik-Vorbereitungszeit: 10 Wochen
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Drahtloses &amp IC-integrierter Schaltungen ESP8684H4 QFN-24; Rf-integrierte Schaltungen

Drahtloses &amp IC-integrierter Schaltungen ESP8684H4 QFN-24; Rf-integrierte Schaltungen

Mfr. #: ESP8684H4
Mfr.: Espressif-Systeme
Beschreibung: Rf-Ein-Chip-System - Soc SMD IC ESP8684H4, einkerniges MCU, & 2.4G Wi-Fi; BLE 5,0 kombiniert, Sti
Fabrik-Vorbereitungszeit: 36 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB641E-MHN-Y UDFN-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB641E-MHN-Y UDFN-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT45DB641E-MHN-Y
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 64 Mbit, weit Vcc (1.7V zu 3.6V), -40C zu 85C, DFN 5x6 (Behälter), einzelnes SPI DataFlas
Fabrik-Vorbereitungszeit: Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB021E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB021E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT45DB021E-SSHNHC-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 2 Mbit, weit Vcc (1.65V zu 3.6V), -40C zu 85C, 512 Byte-binärer Seitenmodus, SOIC-N 150mi
Fabrik-Vorbereitungszeit: Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB321E-MWHF2B-T VDFN-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB321E-MWHF2B-T VDFN-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT45DB321E-MWHF2B-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 32 Mbit, 3.0V (2.3V zu 3.6V), -40C zu 85C, 512 Byte-binärer Seitenmodus, DFN 6x8 (Band &a
Fabrik-Vorbereitungszeit: Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB161E-SHF-B SOIC-Wide-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB161E-SHF-B SOIC-Wide-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT45DB161E-SHF-B
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 16 Mbit, 3.0V (2.3V zu 3.6V), -40C zu 85C, SOIC-W 208mil (Rohr), einzelnes SPI DataFlash
Fabrik-Vorbereitungszeit: Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB081E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB081E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT45DB081E-SSHNHC-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 8 Mbit, weit Vcc (1.7V zu 3.6V), -40C zu 85C, 512 Byte-binärer Seitenmodus, SOIC-N 150mil
Fabrik-Vorbereitungszeit: Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB641E-MHN2B-T UDFN-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB641E-MHN2B-T UDFN-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT45DB641E-MHN2B-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 64 Mbit, weit Vcc (1.7V zu 3.6V), -40C zu 85C, 512 Byte-binärer Seitenmodus, DFN 5x6 (Ban
Fabrik-Vorbereitungszeit: 25 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DQ321-SHF2B-T SOIC-Wide-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DQ321-SHF2B-T SOIC-Wide-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT45DQ321-SHF2B-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 32 Mbit, 3.0V (2.3V zu 3.6V), -40C zu 85C, 512 Byte-binärer Seitenmodus, SOIC-W 208mil (B
Fabrik-Vorbereitungszeit: Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB081E-SHN-T SOIC-Wide-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB081E-SHN-T SOIC-Wide-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT45DB081E-SHN-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 8 Mbit, weit Vcc (1.7V zu 3.6V), -40C zu 85C, SOIC-W 208mil (Band & Spule), einzelnes
Fabrik-Vorbereitungszeit: 41 Wochen
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Drahtloses &amp IC-integrierter Schaltungen EFR32FG25B111F1152IM56-B QFN-56; Rf-integrierte Schaltungen

Drahtloses &amp IC-integrierter Schaltungen EFR32FG25B111F1152IM56-B QFN-56; Rf-integrierte Schaltungen

Mfr. #: EFR32FG25B111F1152IM56-B
Mfr.: Silikon-Labors
Beschreibung: Rf-Ein-Chip-System - Soc FG25, Unter-Gigahertz, 1152kB Blitz, 256kB RAM, FSK/O-QPSK, sicheres Wölbun
Fabrik-Vorbereitungszeit: 26 Wochen
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Drahtloses &amp IC-integrierter Schaltungen EFR32FG25A221F1920IM56-B QFN-56; Rf-integrierte Schaltungen

Drahtloses &amp IC-integrierter Schaltungen EFR32FG25A221F1920IM56-B QFN-56; Rf-integrierte Schaltungen

Mfr. #: EFR32FG25A221F1920IM56-B
Mfr.: Silikon-Labors
Beschreibung: Rf-Ein-Chip-System - Soc FG25, Unter-Gigahertz, 1920kB Blitz, 512kB RAM, FSK/O-QPSK/OFDM, +125C, QFN
Fabrik-Vorbereitungszeit: 26 Wochen
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Drahtloses &amp IC-integrierter Schaltungen EFR32FG25A121F1152IM56-B QFN-56; Rf-integrierte Schaltungen

Drahtloses &amp IC-integrierter Schaltungen EFR32FG25A121F1152IM56-B QFN-56; Rf-integrierte Schaltungen

Mfr. #: EFR32FG25A121F1152IM56-B
Mfr.: Silikon-Labors
Beschreibung: Rf-Ein-Chip-System - Soc FG25, Unter-Gigahertz, 1152kB Blitz, 256kB RAM, FSK/O-QPSK/OFDM, +125C, QFN
Fabrik-Vorbereitungszeit: 26 Wochen
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