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MK20DX256VLK10 IC Circuitos integrados LQFP-80 Microcontroladores

MK20DX256VLK10 IC Circuitos integrados LQFP-80 Microcontroladores

RoHS: detalles
Estilo de montaje: DSM/SMT
paquete: LQFP-80
Cantidad de embalaje de fábrica: 480
Tipo de producto: Microcontroladores
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Circuitos integrados de circuito integrado SPC574K72E5C6FAR TQFP-144 Microcontroladores

Circuitos integrados de circuito integrado SPC574K72E5C6FAR TQFP-144 Microcontroladores

ROHS: PB libre
Estilo de montaje: DSM/SMT
Paquete: TQFP-144
Serie: SPC574K72E5 y sus derivados
Cantidad del paquete de la fábrica: 800
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&amp inalámbrico de los circuitos integrados ESP8684H2 QFN-24 de IC; Circuitos integrados del RF

&amp inalámbrico de los circuitos integrados ESP8684H2 QFN-24 de IC; Circuitos integrados del RF

Mfr. #: ESP8684H2
Mfr.: Sistemas de Espressif
Descripción: Sistema en un microprocesador - SoC SMD IC ESP8684H2, solo-corazón MCU, & del RF del Wi-Fi 2.4G;
Plazo de obtención de la fábrica: 10 semanas
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&amp inalámbrico de los circuitos integrados ESP8684H4 QFN-24 de IC; Circuitos integrados del RF

&amp inalámbrico de los circuitos integrados ESP8684H4 QFN-24 de IC; Circuitos integrados del RF

Mfr. #: ESP8684H4
Mfr.: Sistemas de Espressif
Descripción: Sistema en un microprocesador - SoC SMD IC ESP8684H4, solo-corazón MCU, & del RF del Wi-Fi 2.4G;
Plazo de obtención de la fábrica: 36 semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB641E-MHN-Y UDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB641E-MHN-Y UDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT45DB641E-MHN-Y
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 64 Mbit, de par en par Vcc (1.7V a 3.6V), -40C a 85C, DFN 5x6 (bandeja), solo SPI DataFlash
Plazo de obtención de la fábrica: Semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB021E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB021E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT45DB021E-SSHNHC-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 2 Mbit, de par en par Vcc (1.65V a 3.6V), -40C a 85C, modo de página binario de 512 bytes,
Plazo de obtención de la fábrica: Semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB321E-MWHF2B-T VDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB321E-MWHF2B-T VDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT45DB321E-MWHF2B-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 32 Mbit, 3.0V (2.3V a 3.6V), -40C a 85C, modo de página binario de 512 bytes, DFN 6x8 (&
Plazo de obtención de la fábrica: Semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB161E-SHF-B SOIC-Wide-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB161E-SHF-B SOIC-Wide-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT45DB161E-SHF-B
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 16 Mbit, 3.0V (2.3V a 3.6V), -40C a 85C, SOIC-W 208mil (tubo), solo SPI DataFlash
Plazo de obtención de la fábrica: Semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB081E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB081E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT45DB081E-SSHNHC-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 8 Mbit, de par en par Vcc (1.7V a 3.6V), -40C a 85C, modo de página binario de 512 bytes, S
Plazo de obtención de la fábrica: Semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB641E-MHN2B-T UDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB641E-MHN2B-T UDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT45DB641E-MHN2B-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 64 Mbit, de par en par Vcc (1.7V a 3.6V), -40C a 85C, modo de página binario de 512 bytes,
Plazo de obtención de la fábrica: 25 semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DQ321-SHF2B-T SOIC-Wide-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DQ321-SHF2B-T SOIC-Wide-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT45DQ321-SHF2B-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 32 Mbit, 3.0V (2.3V a 3.6V), -40C a 85C, modo de página binario de 512 bytes, SOIC-W 208mil
Plazo de obtención de la fábrica: Semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB081E-SHN-T SOIC-Wide-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB081E-SHN-T SOIC-Wide-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT45DB081E-SHN-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 8 Mbit, de par en par Vcc (1.7V a 3.6V), -40C a 85C, SOIC-W 208mil (& de la cinta; Carre
Plazo de obtención de la fábrica: 41 semanas
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&amp inalámbrico de los circuitos integrados EFR32FG25B111F1152IM56-B QFN-56 de IC; Circuitos integrados del RF

&amp inalámbrico de los circuitos integrados EFR32FG25B111F1152IM56-B QFN-56 de IC; Circuitos integrados del RF

Mfr. #: EFR32FG25B111F1152IM56-B
Mfr.: Laboratorios del silicio
Descripción: Sistema en un microprocesador - SoC FG25, Sub-gigahertz, 1152kB flash, 256kB RAM, FSK/O-QPSK, Cámara
Plazo de obtención de la fábrica: 26 semanas
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&amp inalámbrico de los circuitos integrados EFR32FG25A221F1920IM56-B QFN-56 de IC; Circuitos integrados del RF

&amp inalámbrico de los circuitos integrados EFR32FG25A221F1920IM56-B QFN-56 de IC; Circuitos integrados del RF

Mfr. #: EFR32FG25A221F1920IM56-B
Mfr.: Laboratorios del silicio
Descripción: Sistema en un microprocesador - SoC FG25, Sub-gigahertz, 1920kB flash, 512kB RAM, FSK/O-QPSK/OFDM, +
Plazo de obtención de la fábrica: 26 semanas
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&amp inalámbrico de los circuitos integrados EFR32FG25A121F1152IM56-B QFN-56 de IC; Circuitos integrados del RF

&amp inalámbrico de los circuitos integrados EFR32FG25A121F1152IM56-B QFN-56 de IC; Circuitos integrados del RF

Mfr. #: EFR32FG25A121F1152IM56-B
Mfr.: Laboratorios del silicio
Descripción: Sistema en un microprocesador - SoC FG25, Sub-gigahertz, 1152kB flash, 256kB RAM, FSK/O-QPSK/OFDM, +
Plazo de obtención de la fábrica: 26 semanas
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