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キーワード [ smt flash memory ic chip ] 一致 40 製品.
MK20DX256VLK10 IC統合回路 LQFP-80マイクロコントローラー

MK20DX256VLK10 IC統合回路 LQFP-80マイクロコントローラー

RoHS: 細部
マウントスタイル: SMD/SMT
パッケージ: LQFP-80
工場用品数: 480
製品タイプ: マイクロ制御回路
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IC統合回路 SPC574K72E5C6FAR TQFP-144 マイクロコントローラー

IC統合回路 SPC574K72E5C6FAR TQFP-144 マイクロコントローラー

ROHS: 自由なPB
マウントスタイル: SMD/SMT
パッケージ: TQFP-144
シリーズ: SPC574K72E5
工場パックの量: 800
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ICの集積回路ESP8684H2 QFN-24の無線&RFの集積回路

ICの集積回路ESP8684H2 QFN-24の無線&RFの集積回路

Mfr。#: ESP8684H2
Mfr。: Espressifシステム
記述: RFのシステムオンチップ- SoC SMD IC ESP8684H2、単心MCUの2.4G Wi-Fiの&、QFN 28ピン コンボ、BLE 5.0 4*4mm、の中で抜け目がない2 MB -
工場リードタイム: 10週
接触
ICの集積回路ESP8684H4 QFN-24の無線&RFの集積回路

ICの集積回路ESP8684H4 QFN-24の無線&RFの集積回路

Mfr。#: ESP8684H4
Mfr。: Espressifシステム
記述: RFのシステムオンチップ- SoC SMD IC ESP8684H4、単心MCUの2.4G Wi-Fiの&、QFN 28ピン コンボ、BLE 5.0 4*4mm、の中で抜け目がない4 MB -
工場リードタイム: 36週
接触
ICの集積回路AT45DB641E-MHN-Y UDFN-8の記憶&データ記憶

ICの集積回路AT45DB641E-MHN-Y UDFN-8の記憶&データ記憶

Mfr。#: AT45DB641E-MHN-Y
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ64 Mbit、広くVcc (1.7Vへの3.6V)、-40Cへの85C、DFN 5x6 (皿)、単一SPI DataFlash
工場リードタイム:
接触
ICの集積回路AT45DB021E-SSHNHC-TのSOIC狭い8記憶&データ記憶

ICの集積回路AT45DB021E-SSHNHC-TのSOIC狭い8記憶&データ記憶

Mfr。#: AT45DB021E-SSHNHC-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ2 Mbit、広くVcc (1.65Vへの3.6V)、-40Cへの85Cの512バイトの二進ページ モード、SOIC-N 150mil (テープ&巻き枠)、単一SPI DataFla
工場リードタイム:
接触
ICの集積回路AT45DB321E-MWHF2B-T VDFN-8の記憶&データ記憶

ICの集積回路AT45DB321E-MWHF2B-T VDFN-8の記憶&データ記憶

Mfr。#: AT45DB321E-MWHF2B-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ32 Mbit、3.0V (2.3Vへの3.6V)、-40Cへの85Cの512バイトの二進ページ モード、DFN 6x8 (テープ&巻き枠)、単一SPI DataFlash
工場リードタイム:
接触
ICの集積回路AT45DB161E-SHF-BのSOIC広い8記憶&データ記憶

ICの集積回路AT45DB161E-SHF-BのSOIC広い8記憶&データ記憶

Mfr。#: AT45DB161E-SHF-B
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ16 Mbit、3.0V (2.3Vへの3.6V)、-40Cへの85C、SOIC-W 208mil (管)、単一SPI DataFlash
工場リードタイム:
接触
ICの集積回路AT45DB081E-SSHNHC-TのSOIC狭い8記憶&データ記憶

ICの集積回路AT45DB081E-SSHNHC-TのSOIC狭い8記憶&データ記憶

Mfr。#: AT45DB081E-SSHNHC-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ8 Mbit、広くVcc (1.7Vへの3.6V)、-40Cへの85Cの512バイトの二進ページ モード、SOIC-N 150mil (テープ&巻き枠)、単一SPI DataFlas
工場リードタイム:
接触
ICの集積回路AT45DB641E-MHN2B-T UDFN-8の記憶&データ記憶

ICの集積回路AT45DB641E-MHN2B-T UDFN-8の記憶&データ記憶

Mfr。#: AT45DB641E-MHN2B-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ64 Mbit、広くVcc (1.7Vへの3.6V)、-40Cへの85Cの512バイトの二進ページ モード、DFN 5x6 (テープ&巻き枠)、単一SPI DataFlash
工場リードタイム: 25週
接触
ICの集積回路AT45DQ321-SHF2B-TのSOIC広い8記憶&データ記憶

ICの集積回路AT45DQ321-SHF2B-TのSOIC広い8記憶&データ記憶

Mfr。#: AT45DQ321-SHF2B-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ32 Mbit、3.0V (2.3Vへの3.6V)、-40Cへの85Cの512バイトの二進ページ モード、SOIC-W 208mil (テープ&巻き枠は)、クォード モード、単一の、
工場リードタイム:
接触
ICの集積回路AT45DB081E-SHN-TのSOIC広い8記憶&データ記憶

ICの集積回路AT45DB081E-SHN-TのSOIC広い8記憶&データ記憶

Mfr。#: AT45DB081E-SHN-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ8 Mbit、広くVcc (1.7Vへの3.6V)、-40Cへの85C、SOIC-W 208mil (テープ&巻き枠)、単一SPI DataFlash
工場リードタイム: 41週
接触
ICの集積回路EFR32FG25B111F1152IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

ICの集積回路EFR32FG25B111F1152IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

Mfr。#: EFR32FG25B111F1152IM56-B
Mfr。: ケイ素の実験室
記述: RFのシステムオンチップ- SoC FG25、副GHz、256kB RAM抜け目がない、1152kB FSK/O-QPSKの安全な地下の高さ、+125C、QFN56
工場リードタイム: 26週
接触
ICの集積回路EFR32FG25A221F1920IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

ICの集積回路EFR32FG25A221F1920IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

Mfr。#: EFR32FG25A221F1920IM56-B
Mfr。: ケイ素の実験室
記述: RFのシステムオンチップ- SoC FG25、副GHz、512kB RAM抜け目がない、1920kB FSK/O-QPSK/OFDM、+125C、QFN56
工場リードタイム: 26週
接触
ICの集積回路EFR32FG25A121F1152IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

ICの集積回路EFR32FG25A121F1152IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

Mfr。#: EFR32FG25A121F1152IM56-B
Mfr。: ケイ素の実験室
記述: RFのシステムオンチップ- SoC FG25、副GHz、256kB RAM抜け目がない、1152kB FSK/O-QPSK/OFDM、+125C、QFN56
工場リードタイム: 26週
接触
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