MK20DX256VLK10 IC интегральные схемы LQFP-80 микроконтроллеры
| RoHS: | детали |
|---|---|
| Стил монтажа: | SMD/SMT |
| Пакет: | LQFP-80 |
| Производственное количество упаковки: | 480 |
| Тип продукции: | Микроконтроллеры |
| RoHS: | детали |
|---|---|
| Стил монтажа: | SMD/SMT |
| Пакет: | LQFP-80 |
| Производственное количество упаковки: | 480 |
| Тип продукции: | Микроконтроллеры |
| ROHS: | PB свободный |
|---|---|
| Стил монтажа: | SMD/SMT |
| Пакет: | TQFP-144 |
| Серия: | SPC574K72E5 |
| Количество пакета фабрики: | 800 |
| Mfr. #: | ESP8684H2 |
|---|---|
| Mfr.: | Системы Espressif |
| Описание: | Система на обломоке - SoC SMD IC ESP8684H2 RF, одно-ядр MCU, & 2.4G Wi-Fi; BLE 5,0 комбинированно |
| Задержка фабрики: | 10 недель |
| Mfr. #: | ESP8684H4 |
|---|---|
| Mfr.: | Системы Espressif |
| Описание: | Система на обломоке - SoC SMD IC ESP8684H4 RF, одно-ядр MCU, & 2.4G Wi-Fi; BLE 5,0 комбинированно |
| Задержка фабрики: | 36 недель |
| Mfr. #: | AT45DB641E-MHN-Y |
|---|---|
| Mfr.: | Renesas/диалог |
| Описание: | НИ вспышка 64 Mbit, широко Vcc (1.7V к 3.6V), -40C к 85C, DFN 5x6 (подносу), одиночному SPI DataFlas |
| Задержка фабрики: | Недели |
| Mfr. #: | AT45DB021E-SSHNHC-T |
|---|---|
| Mfr.: | Renesas/диалог |
| Описание: | НИ вспышка 2 Mbit, широко Vcc (1.65V к 3.6V), -40C к 85C, режиму страницы 512 байт бинарному, SOIC-N |
| Задержка фабрики: | Недели |
| Mfr. #: | AT45DB321E-MWHF2B-T |
|---|---|
| Mfr.: | Renesas/диалог |
| Описание: | НИ вспышка 32 Mbit, 3.0V (2.3V к 3.6V), -40C к 85C, режиму страницы 512 байт бинарному, DFN 6x8 (&am |
| Задержка фабрики: | Недели |
| Mfr. #: | AT45DB161E-SHF-B |
|---|---|
| Mfr.: | Renesas/диалог |
| Описание: | НИ вспышка 16 Mbit, 3.0V (2.3V к 3.6V), -40C к 85C, SOIC-W 208mil (трубке), одиночному SPI DataFlash |
| Задержка фабрики: | Недели |
| Mfr. #: | AT45DB081E-SSHNHC-T |
|---|---|
| Mfr.: | Renesas/диалог |
| Описание: | НИ вспышка 8 Mbit, широко Vcc (1.7V к 3.6V), -40C к 85C, режиму страницы 512 байт бинарному, SOIC-N |
| Задержка фабрики: | Недели |
| Mfr. #: | AT45DB641E-MHN2B-T |
|---|---|
| Mfr.: | Renesas/диалог |
| Описание: | НИ вспышка 64 Mbit, широко Vcc (1.7V к 3.6V), -40C к 85C, режиму страницы 512 байт бинарному, DFN 5x |
| Задержка фабрики: | 25 недель |
| Mfr. #: | AT45DQ321-SHF2B-T |
|---|---|
| Mfr.: | Renesas/диалог |
| Описание: | НИ вспышка 32 Mbit, 3.0V (2.3V к 3.6V), -40C к 85C, режиму страницы 512 байт бинарному, SOIC-W 208mi |
| Задержка фабрики: | Недели |
| Mfr. #: | AT45DB081E-SHN-T |
|---|---|
| Mfr.: | Renesas/диалог |
| Описание: | НИ вспышка 8 Mbit, широко Vcc (1.7V к 3.6V), -40C к 85C, SOIC-W 208mil (& ленты; Вьюрок), одиночн |
| Задержка фабрики: | 41 неделя |
| Mfr. #: | EFR32FG25B111F1152IM56-B |
|---|---|
| Mfr.: | Лаборатории кремния |
| Описание: | Система на обломоке - SoC FG25 RF, Подводн-GHz, 1152kB внезапное, 256kB RAM, FSK/O-QPSK, безопасное |
| Задержка фабрики: | 26 недель |
| Mfr. #: | EFR32FG25A221F1920IM56-B |
|---|---|
| Mfr.: | Лаборатории кремния |
| Описание: | Система на обломоке - SoC FG25 RF, Подводн-GHz, 1920kB внезапное, 512kB RAM, FSK/O-QPSK/OFDM, +125C, |
| Задержка фабрики: | 26 недель |
| Mfr. #: | EFR32FG25A121F1152IM56-B |
|---|---|
| Mfr.: | Лаборатории кремния |
| Описание: | Система на обломоке - SoC FG25 RF, Подводн-GHz, 1152kB внезапное, 256kB RAM, FSK/O-QPSK/OFDM, +125C, |
| Задержка фабрики: | 26 недель |
