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キーワード [ smd memory integrated circuits ] 一致 3183 製品.
ICの集積回路M95P32-IXMNT/E SO-8の記憶&データ記憶

ICの集積回路M95P32-IXMNT/E SO-8の記憶&データ記憶

Mfr。#: M95P32-IXMNT/E
Mfr。: STMicroelectronics
記述: EEPROM超ローパワー32 Mbit連続SPIのページEEPROM
工場リードタイム:
接触
ICの集積回路AM6441BSEFHAALV FCBGA-441マイクロプロセッサ- MPU

ICの集積回路AM6441BSEFHAALV FCBGA-441マイクロプロセッサ- MPU

Mfr。#: AM6441BSEFHAALV
Mfr。: テキサス・インスツルメント
記述: マイクロプロセッサ- MPUの単心の64ビットの腕の皮質A53、クォード中心の皮質R5F、PCIe、USB 3.0および保証441-FCBGA -40に105
工場リードタイム: 20週
接触
ICの集積回路EFR32FG25B111F1152IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

ICの集積回路EFR32FG25B111F1152IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

Mfr。#: EFR32FG25B111F1152IM56-B
Mfr。: ケイ素の実験室
記述: RFのシステムオンチップ- SoC FG25、副GHz、256kB RAM抜け目がない、1152kB FSK/O-QPSKの安全な地下の高さ、+125C、QFN56
工場リードタイム: 26週
接触
ICの集積回路M95P16-IXMNT/E SO-8Nの記憶&データ記憶

ICの集積回路M95P16-IXMNT/E SO-8Nの記憶&データ記憶

Mfr。#: M95P16-IXMNT/E
Mfr。: STMicroelectronics
記述: EEPROM超ローパワー16 Mbit連続SPIのページEEPROM
工場リードタイム: 22週
接触
ICの集積回路EFR32FG25A221F1920IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

ICの集積回路EFR32FG25A221F1920IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

Mfr。#: EFR32FG25A221F1920IM56-B
Mfr。: ケイ素の実験室
記述: RFのシステムオンチップ- SoC FG25、副GHz、512kB RAM抜け目がない、1920kB FSK/O-QPSK/OFDM、+125C、QFN56
工場リードタイム: 26週
接触
ICの集積回路EFR32FG25A121F1152IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

ICの集積回路EFR32FG25A121F1152IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

Mfr。#: EFR32FG25A121F1152IM56-B
Mfr。: ケイ素の実験室
記述: RFのシステムオンチップ- SoC FG25、副GHz、256kB RAM抜け目がない、1152kB FSK/O-QPSK/OFDM、+125C、QFN56
工場リードタイム: 26週
接触
ICの集積回路EFR32FG25B211F1920IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

ICの集積回路EFR32FG25B211F1920IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

Mfr。#: EFR32FG25B211F1920IM56-B
Mfr。: ケイ素の実験室
記述: RFのシステムオンチップ- SoC FG25、副GHz、512kB RAM抜け目がない、1920kB FSK/O-QPSKの安全な地下の高さ、+125C、QFN56
工場リードタイム: 26週
接触
ICの集積回路EFR32FG25B212F1920IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

ICの集積回路EFR32FG25B212F1920IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

Mfr。#: EFR32FG25B212F1920IM56-B
Mfr。: ケイ素の実験室
記述: RFのシステムオンチップ- SoC FG25、副GHz、512kB RAM抜け目がない、1920kB FSK/O-QPSK、HFCLKOUTの安全な地下の高さ、+125C、QFN56
工場リードタイム: 26週
接触
ICの集積回路EFR32FG25B222F1920IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

ICの集積回路EFR32FG25B222F1920IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

Mfr。#: EFR32FG25B222F1920IM56-B
Mfr。: ケイ素の実験室
記述: RFのシステムオンチップ- SoC FG25、副GHz、512kB RAM抜け目がない、1920kB FSK/O-QPSK/OFDM、HFCLKOUTの安全な地下の高さ、+125C、QFN56
工場リードタイム: 26週
接触
ICの集積回路AM6231ASGGGAALW FCCSP-425マイクロプロセッサ- MPU

ICの集積回路AM6231ASGGGAALW FCCSP-425マイクロプロセッサ- MPU

Mfr。#: AM6231ASGGGAALW
Mfr。: テキサス・インスツルメント
記述: マイクロプロセッサ-事(IoT)および腕の皮質A53ベースの目的およびジェスチャー認識の出入口SoCのMPUのインターネット
工場リードタイム: 13週
接触
ICの集積回路AT45DB641E-MHN-Y UDFN-8の記憶&データ記憶

ICの集積回路AT45DB641E-MHN-Y UDFN-8の記憶&データ記憶

Mfr。#: AT45DB641E-MHN-Y
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ64 Mbit、広くVcc (1.7Vへの3.6V)、-40Cへの85C、DFN 5x6 (皿)、単一SPI DataFlash
工場リードタイム:
接触
ICの集積回路AT45DB021E-SSHNHC-TのSOIC狭い8記憶&データ記憶

ICの集積回路AT45DB021E-SSHNHC-TのSOIC狭い8記憶&データ記憶

Mfr。#: AT45DB021E-SSHNHC-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ2 Mbit、広くVcc (1.65Vへの3.6V)、-40Cへの85Cの512バイトの二進ページ モード、SOIC-N 150mil (テープ&巻き枠)、単一SPI DataFla
工場リードタイム:
接触
ICの集積回路AT25DF321A-MH-T UDFN-8の記憶&データ記憶

ICの集積回路AT25DF321A-MH-T UDFN-8の記憶&データ記憶

Mfr。#: AT25DF321A-MH-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ32 Mbit、3.0V (2.7Vへの3.6V)、-40Cへの85C、DFN 5x6 (テープ&巻き枠)、単一の、二重SPIフラッシュ
工場リードタイム:
接触
ICの集積回路AT25DF321A-MH-Y UDFN-8の記憶&データ記憶

ICの集積回路AT25DF321A-MH-Y UDFN-8の記憶&データ記憶

Mfr。#: AT25DF321A-MH-Y
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ32 Mbit、3.0V (2.7Vへの3.6V)、-40Cへの85C、DFN 5x6 (皿)、単一の、二重SPIフラッシュ
工場リードタイム:
接触
ICの集積回路AT25SF321B-SSHB-Tのパン切れ狭い8記憶&データ記憶

ICの集積回路AT25SF321B-SSHB-Tのパン切れ狭い8記憶&データ記憶

Mfr。#: AT25SF321B-SSHB-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ32 Mbit、3.0V (2.7Vへの3.6V)、-40Cへの85C、SOIC-N 150mil (テープ&巻き枠)、単一、二重、クォードSPIフラッシュ
工場リードタイム: 21週
接触
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