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smd memory integrated circuits

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키워드 [ smd memory integrated circuits ] 시합 3183 상품.
IC 집적 회로 M95P32-IXMNT/E SO-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 M95P32-IXMNT/E SO-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: M95P32-IXMNT/E
엠에프르.: 스트미크로일렉트로닉스
기술: EEPROM 극단적이 저동력 32 메가비트 일련이 SPI 페이지 EEPROM
공장 준비 시간: 주
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IC 집적 회로 AM6441BSEFHAALV FCBGA-441 마이크로프로세서 - 마이크로프로세서 유닛

IC 집적 회로 AM6441BSEFHAALV FCBGA-441 마이크로프로세서 - 마이크로프로세서 유닛

엠에프르. #: AM6441BSEFHAALV
엠에프르.: 텍사스 인스트루먼츠 사
기술: 마이크로프로세서스 - 마이크로프로세서 유닛 단일코어 64 비트 무기 Cortex-A53, 쿼드-코어 Cortex-R5F, 피코이에, USB 3.0과 보안 441 FCBGA -40
공장 준비 시간: 20 주
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IC 집적 회로 EFR32FG25B111F1152IM56 비 QFN-56 무선 전신 &amp ; RF 집적 회로

IC 집적 회로 EFR32FG25B111F1152IM56 비 QFN-56 무선 전신 &amp ; RF 집적 회로

엠에프르. #: EFR32FG25B111F1152IM56 비
엠에프르.: 실리콘 실험실
기술: RF 시스템 온 칩 - SoC FG25, 서브 기가헤르츠, 1152kB 플래시, 256kB RAM, FSK / O-QPSK, 안전한 지하실 높은 것, +125C, QFN56
공장 준비 시간: 26 주
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IC 집적 회로 M95P16-IXMNT/E SO-8N 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 M95P16-IXMNT/E SO-8N 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: M95P16-IXMNT/E
엠에프르.: 스트미크로일렉트로닉스
기술: EEPROM 극단적이 저동력 16 메가비트 일련이 SPI 페이지 EEPROM
공장 준비 시간: 22 주
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IC 집적 회로 EFR32FG25A221F1920IM56 비 QFN-56 무선 전신 &amp ; RF 집적 회로

IC 집적 회로 EFR32FG25A221F1920IM56 비 QFN-56 무선 전신 &amp ; RF 집적 회로

엠에프르. #: EFR32FG25A221F1920IM56 비
엠에프르.: 실리콘 실험실
기술: RF 시스템 온 칩 - SoC FG25, 서브 기가헤르츠, 1920kB 플래시, 512kB RAM, FSK / O-QPSK / OFDM, +125C, QFN56
공장 준비 시간: 26 주
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IC 집적 회로 EFR32FG25A121F1152IM56 비 QFN-56 무선 전신 &amp ; RF 집적 회로

IC 집적 회로 EFR32FG25A121F1152IM56 비 QFN-56 무선 전신 &amp ; RF 집적 회로

엠에프르. #: EFR32FG25A121F1152IM56 비
엠에프르.: 실리콘 실험실
기술: RF 시스템 온 칩 - SoC FG25, 서브 기가헤르츠, 1152kB 플래시, 256kB RAM, FSK / O-QPSK / OFDM, +125C, QFN56
공장 준비 시간: 26 주
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IC 집적 회로 EFR32FG25B211F1920IM56 비 QFN-56 무선 전신 &amp ; RF 집적 회로

IC 집적 회로 EFR32FG25B211F1920IM56 비 QFN-56 무선 전신 &amp ; RF 집적 회로

엠에프르. #: EFR32FG25B211F1920IM56 비
엠에프르.: 실리콘 실험실
기술: RF 시스템 온 칩 - SoC FG25, 서브 기가헤르츠, 1920kB 플래시, 512kB RAM, FSK / O-QPSK, 안전한 지하실 높은 것, +125C, QFN56
공장 준비 시간: 26 주
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IC 집적 회로 EFR32FG25B212F1920IM56 비 QFN-56 무선 전신 &amp ; RF 집적 회로

IC 집적 회로 EFR32FG25B212F1920IM56 비 QFN-56 무선 전신 &amp ; RF 집적 회로

엠에프르. #: EFR32FG25B212F1920IM56 비
엠에프르.: 실리콘 실험실
기술: RF 시스템 온 칩 - SoC FG25, 서브 기가헤르츠, 1920kB 플래시, 512kB RAM, FSK / O-QPSK, HFCLKOUT, 안전한 지하실 높은 것, +125C,
공장 준비 시간: 26 주
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IC 집적 회로 EFR32FG25B222F1920IM56 비 QFN-56 무선 전신 &amp ; RF 집적 회로

IC 집적 회로 EFR32FG25B222F1920IM56 비 QFN-56 무선 전신 &amp ; RF 집적 회로

엠에프르. #: EFR32FG25B222F1920IM56 비
엠에프르.: 실리콘 실험실
기술: RF 시스템 온 칩 - SoC FG25, 서브 기가헤르츠, 1920kB 플래시, 512kB RAM, FSK / O-QPSK / OFDM, HFCLKOUT, 안전한 지하실 높은 것,
공장 준비 시간: 26 주
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IC 집적 회로 AM6231ASGGGAALW FCCSP-425 마이크로프로세서 - 마이크로프로세서 유닛

IC 집적 회로 AM6231ASGGGAALW FCCSP-425 마이크로프로세서 - 마이크로프로세서 유닛

엠에프르. #: AM6231ASGGGAALW
엠에프르.: 텍사스 인스트루먼츠 사
기술: 마이크로프로세서스 - 마이크로프로세서 유닛 사물인터넷 (IoT)와 팔 Cortex-A53-based 물체와 동작 인식과 게이트웨이 SoC
공장 준비 시간: 13 주
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IC 집적 회로 AT45DB641E-MHN-Y UDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT45DB641E-MHN-Y UDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT45DB641E-MHN-Y
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 순간 64 메가비트, 넓은 프크크 (1.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, DFN 5x6 (트레이), 한 개의 SPI 데이터플래시
공장 준비 시간: 주
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IC 집적 회로 AT45DB021E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT45DB021E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT45DB021E-SSHNHC-T
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 플래시 2 메가비트, 넓은 프크크 (1.65V 내지 3.6V), 85C,512 바이트 2원체 페이지 모드에 대한 -40C, SOIC-N 150 밀리리터 (테이프 & ;
공장 준비 시간: 주
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IC 집적 회로 AT25DF321A-MH-T UDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT25DF321A-MH-T UDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT25DF321A-MH-T
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 순간 32 메가비트, 3.0V (2.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, DFN 5x6 (테이프 & ; 릴), 한 개의, 듀얼 SPI NOR 플래시
공장 준비 시간: 주
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IC 집적 회로 AT25DF321A-MH-Y UDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT25DF321A-MH-Y UDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT25DF321A-MH-Y
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 플래시 32 메가비트, 3.0V (2.7V 내지 3.6V), -40C에서 85C, DFN 5x6 (트레이), 한 개이, 듀얼 SPI NOR 플래시
공장 준비 시간: 주
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IC 집적 회로 AT25SF321B-SSHB-T SOP-Narrow-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT25SF321B-SSHB-T SOP-Narrow-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT25SF321B-SSHB-T
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 플래시 32 메가비트, 3.0V (2.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, SOIC-N 150 밀리리터 (테이프 & ; 릴), 한 개의, 듀얼, 쿼드 SPI
공장 준비 시간: 21 주
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