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smd memory integrated circuits

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키워드 [ smd memory integrated circuits ] 시합 3183 상품.
IC 집적 회로 AT25DF641A-MH-Y UDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT25DF641A-MH-Y UDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT25DF641A-MH-Y
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 플래시 64 메가비트, 3.0V (2.7V 내지 3.6V), -40C에서 85C, DFN 5x6 (트레이), 한 개이, 듀얼 SPI NOR 플래시
공장 준비 시간: 41 주
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IC 집적 회로 THGBMUG6C1LBAIL FBGA-153 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 THGBMUG6C1LBAIL FBGA-153 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: THGBMUG6C1LBAIL
엠에프르.: 키옥사이아 미국
기술: 에m크 8GB v5.1 에m크
공장 준비 시간: 주
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IC 집적 회로 AT25SF041B-SSHD-T SOP-Narrow-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT25SF041B-SSHD-T SOP-Narrow-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT25SF041B-SSHD-T
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 플래시 4 메가비트, 3.0V (2.5V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, SOIC-N 150 밀리리터 (테이프 & ; 릴), 한 개의, 듀얼, 쿼드 SPI도
공장 준비 시간: 28 주
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IC 집적 회로 AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT25XE512C-XMHN-T
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 플래시 512 Kbit, 넓은 프크크 (1.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, TSSOP (테이프 & ; 릴), 퓨젼 (한 개이고 이원적인) SPI NOR
공장 준비 시간: 32 주
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IC 집적 회로 AT45DB321E-MWHF2B-T VDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT45DB321E-MWHF2B-T VDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT45DB321E-MWHF2B-T
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 순간 32 메가비트, 3.0V (2.3V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, 512 바이트 2원체 페이지 모드, DFN 6x8 (테이프 & ; 한 개의 SPI 데
공장 준비 시간: 주
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IC 집적 회로 AT25SF161B-SSHB-T SOP-Narrow-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT25SF161B-SSHB-T SOP-Narrow-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT25SF161B-SSHB-T
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 플래시 16 메가비트, 3.0V (2.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, SOIC-N 150 밀리리터 (테이프 & ; 릴), 한 개의, 듀얼, 쿼드 SPI
공장 준비 시간: 18 주
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IC 집적 회로 AT25SL128A-UUE-T WLCSP-21 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT25SL128A-UUE-T WLCSP-21 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT25SL128A-UUE-T
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 플래시 128 마빗, 1.8V (1.7V 내지 2V), -40C 내지 85C, WLCSP (테이프 & ; 릴), 한 개의, 듀얼, 쿼드 SPI NOR 플래시
공장 준비 시간: 29 주
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IC 집적 회로 AT25XE041B-MAHN-T UDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT25XE041B-MAHN-T UDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT25XE041B-MAHN-T
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 순간 4 메가비트, 넓은 프크크 (1.65V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, DFN 2x3 (테이프 & ; 릴), 퓨젼 (한 개이고 이원적인) SPI NOR
공장 준비 시간: 31 주
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IC 집적 회로 AT45DB161E-SHF-B SOIC-Wide-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT45DB161E-SHF-B SOIC-Wide-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT45DB161E-SHF-B
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 플래시 16 메가비트, 3.0V (2.3V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, SOIC-W 208 밀리리터 (관), 한 개의 SPI 데이터플래시
공장 준비 시간: 주
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IC 집적 회로 AT25SL128A-MHE-T UDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT25SL128A-MHE-T UDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT25SL128A-MHE-T
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 순간 128 메가비트, 1.8V (1.7V 내지 2V), -40C 내지 85C, DFN 5x6 (테이프 & ; 릴), 한 개의, 듀얼, 쿼드 SPI NOR 플래시
공장 준비 시간: 29 주
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IC 집적 회로 AT45DB081E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT45DB081E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT45DB081E-SSHNHC-T
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 플래시 8 메가비트, 넓은 프크크 (1.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, 512 바이트 2원체 페이지 모드, SOIC-N 150 밀리리터 (테이프 & ;
공장 준비 시간: 주
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IC 집적 회로 AT45DB641E-MHN2B-T UDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT45DB641E-MHN2B-T UDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT45DB641E-MHN2B-T
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 순간 64 메가비트, 넓은 프크크 (1.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, 512 바이트 2원체 페이지 모드, DFN 5x6 (테이프 & ; 한 개의 SPI
공장 준비 시간: 25 주
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IC 집적 회로 AT45DQ321-SHF2B-T SOIC-Wide-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT45DQ321-SHF2B-T SOIC-Wide-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT45DQ321-SHF2B-T
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 플래시 32 메가비트, 3.0V (2.3V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, 512 바이트 2원체 페이지 모드, SOIC-W 208 밀리리터 (테이프 & ; 릴
공장 준비 시간: 주
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IC 집적 회로 AT45DB081E-SHN-T SOIC-Wide-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT45DB081E-SHN-T SOIC-Wide-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT45DB081E-SHN-T
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 플래시 8 메가비트, 넓은 프크크 (1.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, SOIC-W 208 밀리리터 (테이프 & ; 한 개의 SPI 데이터플래시, 비틀거
공장 준비 시간: 41 주
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IC 집적 회로 AT25SF321B-MHB-T UDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT25SF321B-MHB-T UDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT25SF321B-MHB-T
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 순간 32 메가비트, 3.0V (2.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, DFN 5x6 (테이프 & ; 릴), 한 개의, 듀얼, 쿼드 SPI NOR 플래시
공장 준비 시간: 32 주
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