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Palabras clave [ smd memory integrated circuits ] partido 3183 productos.
&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25DF641A-MH-Y UDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25DF641A-MH-Y UDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT25DF641A-MH-Y
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 64 Mbit, 3.0V (2.7V a 3.6V), -40C a 85C, DFN 5x6 (bandeja), SPI solo, dual NI flash
Plazo de obtención de la fábrica: 41 semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados THGBMUG6C1LBAIL FBGA-153 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados THGBMUG6C1LBAIL FBGA-153 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: THGBMUG6C1LBAIL
Mfr.: Kioxia América
Descripción: eMMC del eMMC 8GB v5.1
Plazo de obtención de la fábrica: Semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25SF041B-SSHD-T SOP-Narrow-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25SF041B-SSHD-T SOP-Narrow-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT25SF041B-SSHD-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 4 Mbit, 3.0V (2.5V a 3.6V), -40C a 85C, SOIC-N 150mil (& de la cinta; Carrete), solo, du
Plazo de obtención de la fábrica: 28 semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT25XE512C-XMHN-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 512 Kbit, de par en par Vcc (1.7V a 3.6V), -40C a 85C, TSSOP (& de la cinta; Carrete), f
Plazo de obtención de la fábrica: 32 semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB321E-MWHF2B-T VDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB321E-MWHF2B-T VDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT45DB321E-MWHF2B-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 32 Mbit, 3.0V (2.3V a 3.6V), -40C a 85C, modo de página binario de 512 bytes, DFN 6x8 (&
Plazo de obtención de la fábrica: Semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25SF161B-SSHB-T SOP-Narrow-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25SF161B-SSHB-T SOP-Narrow-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT25SF161B-SSHB-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 16 Mbit, 3.0V (2.7V a 3.6V), -40C a 85C, SOIC-N 150mil (& de la cinta; Carrete), solo, d
Plazo de obtención de la fábrica: 18 semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25SL128A-UUE-T WLCSP-21 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25SL128A-UUE-T WLCSP-21 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT25SL128A-UUE-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 128 Mbit, 1.8V (1.7V a 2V), -40C a 85C, WLCSP (& de la cinta; Carrete), solo, dual, pati
Plazo de obtención de la fábrica: 29 semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25XE041B-MAHN-T UDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25XE041B-MAHN-T UDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT25XE041B-MAHN-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 4 Mbit, de par en par Vcc (1.65V a 3.6V), -40C a 85C, DFN 2x3 (& de la cinta; Carrete),
Plazo de obtención de la fábrica: 31 semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB161E-SHF-B SOIC-Wide-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB161E-SHF-B SOIC-Wide-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT45DB161E-SHF-B
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 16 Mbit, 3.0V (2.3V a 3.6V), -40C a 85C, SOIC-W 208mil (tubo), solo SPI DataFlash
Plazo de obtención de la fábrica: Semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25SL128A-MHE-T UDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25SL128A-MHE-T UDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT25SL128A-MHE-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 128 Mbit, 1.8V (1.7V a 2V), -40C a 85C, DFN 5x6 (& de la cinta; Carrete), solo, dual, pa
Plazo de obtención de la fábrica: 29 semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB081E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB081E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT45DB081E-SSHNHC-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 8 Mbit, de par en par Vcc (1.7V a 3.6V), -40C a 85C, modo de página binario de 512 bytes, S
Plazo de obtención de la fábrica: Semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB641E-MHN2B-T UDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB641E-MHN2B-T UDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT45DB641E-MHN2B-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 64 Mbit, de par en par Vcc (1.7V a 3.6V), -40C a 85C, modo de página binario de 512 bytes,
Plazo de obtención de la fábrica: 25 semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DQ321-SHF2B-T SOIC-Wide-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DQ321-SHF2B-T SOIC-Wide-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT45DQ321-SHF2B-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 32 Mbit, 3.0V (2.3V a 3.6V), -40C a 85C, modo de página binario de 512 bytes, SOIC-W 208mil
Plazo de obtención de la fábrica: Semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB081E-SHN-T SOIC-Wide-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT45DB081E-SHN-T SOIC-Wide-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT45DB081E-SHN-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 8 Mbit, de par en par Vcc (1.7V a 3.6V), -40C a 85C, SOIC-W 208mil (& de la cinta; Carre
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25SF321B-MHB-T UDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25SF321B-MHB-T UDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT25SF321B-MHB-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 32 Mbit, 3.0V (2.7V a 3.6V), -40C a 85C, DFN 5x6 (& de la cinta; Carrete), solo, dual, p
Plazo de obtención de la fábrica: 32 semanas
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