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smd memory integrated circuits

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キーワード [ smd memory integrated circuits ] 一致 3183 製品.
ICの集積回路AT25DF641A-MH-Y UDFN-8の記憶&データ記憶

ICの集積回路AT25DF641A-MH-Y UDFN-8の記憶&データ記憶

Mfr。#: AT25DF641A-MH-Y
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ64 Mbit、3.0V （2.7Vへの3.6V）、-40Cへの85C、DFN 5x6 （皿）、単一の、二重SPIフラッシュ
工場リードタイム: 41週
接触
ICの集積回路THGBMUG6C1LBAIL FBGA-153の記憶&データ記憶

ICの集積回路THGBMUG6C1LBAIL FBGA-153の記憶&データ記憶

Mfr。#: THGBMUG6C1LBAIL
Mfr。: Kioxiaアメリカ
記述: eMMC 8GB v5.1のeMMC
工場リードタイム: 週
接触
ICの集積回路AT25SF041B-SSHD-Tのパン切れ狭い8記憶&データ記憶

ICの集積回路AT25SF041B-SSHD-Tのパン切れ狭い8記憶&データ記憶

Mfr。#: AT25SF041B-SSHD-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ4 Mbit、3.0V （2.5Vへの3.6V）、-40Cへの85C、SOIC-N 150mil （テープ&巻き枠）、単一、二重、クォードSPIフラッシュ
工場リードタイム: 28週
接触
ICの集積回路AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8の記憶&データ記憶

ICの集積回路AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8の記憶&データ記憶

Mfr。#: AT25XE512C-XMHN-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ512 Kbit、広くVcc （1.7Vへの3.6V）、-40Cへの85C、TSSOP （テープ&巻き枠）、融合（単一、二重） SPIフラッシュ
工場リードタイム: 32週
接触
ICの集積回路AT45DB321E-MWHF2B-T VDFN-8の記憶&データ記憶

ICの集積回路AT45DB321E-MWHF2B-T VDFN-8の記憶&データ記憶

Mfr。#: AT45DB321E-MWHF2B-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ32 Mbit、3.0V （2.3Vへの3.6V）、-40Cへの85Cの512バイトの二進ページ モード、DFN 6x8 （テープ&巻き枠）、単一SPI DataFlash
工場リードタイム: 週
接触
ICの集積回路AT25SF161B-SSHB-Tのパン切れ狭い8記憶&データ記憶

ICの集積回路AT25SF161B-SSHB-Tのパン切れ狭い8記憶&データ記憶

Mfr。#: AT25SF161B-SSHB-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ16 Mbit、3.0V （2.7Vへの3.6V）、-40Cへの85C、SOIC-N 150mil （テープ&巻き枠）、単一、二重、クォードSPIフラッシュ
工場リードタイム: 18週
接触
ICの集積回路AT25SL128A-UUE-T WLCSP-21の記憶&データ記憶

ICの集積回路AT25SL128A-UUE-T WLCSP-21の記憶&データ記憶

Mfr。#: AT25SL128A-UUE-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ128 Mbit、1.8V （1.7Vへの2V）、-40Cへの85C、WLCSP （テープ&巻き枠）、単一、二重、クォードSPIフラッシュ
工場リードタイム: 29週
接触
ICの集積回路AT25XE041B-MAHN-T UDFN-8の記憶&データ記憶

ICの集積回路AT25XE041B-MAHN-T UDFN-8の記憶&データ記憶

Mfr。#: AT25XE041B-MAHN-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ4 Mbit、広くVcc （1.65Vへの3.6V）、-40Cへの85C、DFN 2x3 （テープ&巻き枠）、融合（単一、二重） SPIフラッシュ
工場リードタイム: 31週
接触
ICの集積回路AT45DB161E-SHF-BのSOIC広い8記憶&データ記憶

ICの集積回路AT45DB161E-SHF-BのSOIC広い8記憶&データ記憶

Mfr。#: AT45DB161E-SHF-B
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ16 Mbit、3.0V （2.3Vへの3.6V）、-40Cへの85C、SOIC-W 208mil （管）、単一SPI DataFlash
工場リードタイム: 週
接触
ICの集積回路AT25SL128A-MHE-T UDFN-8の記憶&データ記憶

ICの集積回路AT25SL128A-MHE-T UDFN-8の記憶&データ記憶

Mfr。#: AT25SL128A-MHE-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ128 Mbit、1.8V （1.7Vへの2V）、-40Cへの85C、DFN 5x6 （テープ&巻き枠）、単一、二重、クォードSPIフラッシュ
工場リードタイム: 29週
接触
ICの集積回路AT45DB081E-SSHNHC-TのSOIC狭い8記憶&データ記憶

ICの集積回路AT45DB081E-SSHNHC-TのSOIC狭い8記憶&データ記憶

Mfr。#: AT45DB081E-SSHNHC-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ8 Mbit、広くVcc （1.7Vへの3.6V）、-40Cへの85Cの512バイトの二進ページ モード、SOIC-N 150mil （テープ&巻き枠）、単一SPI DataFlas
工場リードタイム: 週
接触
ICの集積回路AT45DB641E-MHN2B-T UDFN-8の記憶&データ記憶

ICの集積回路AT45DB641E-MHN2B-T UDFN-8の記憶&データ記憶

Mfr。#: AT45DB641E-MHN2B-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ64 Mbit、広くVcc （1.7Vへの3.6V）、-40Cへの85Cの512バイトの二進ページ モード、DFN 5x6 （テープ&巻き枠）、単一SPI DataFlash
工場リードタイム: 25週
接触
ICの集積回路AT45DQ321-SHF2B-TのSOIC広い8記憶&データ記憶

ICの集積回路AT45DQ321-SHF2B-TのSOIC広い8記憶&データ記憶

Mfr。#: AT45DQ321-SHF2B-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ32 Mbit、3.0V （2.3Vへの3.6V）、-40Cへの85Cの512バイトの二進ページ モード、SOIC-W 208mil （テープ&巻き枠は）、クォード モード、単一の、
工場リードタイム: 週
接触
ICの集積回路AT45DB081E-SHN-TのSOIC広い8記憶&データ記憶

ICの集積回路AT45DB081E-SHN-TのSOIC広い8記憶&データ記憶

Mfr。#: AT45DB081E-SHN-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ8 Mbit、広くVcc （1.7Vへの3.6V）、-40Cへの85C、SOIC-W 208mil （テープ&巻き枠）、単一SPI DataFlash
工場リードタイム: 41週
接触
ICの集積回路AT25SF321B-MHB-T UDFN-8の記憶&データ記憶

ICの集積回路AT25SF321B-MHB-T UDFN-8の記憶&データ記憶

Mfr。#: AT25SF321B-MHB-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ32 Mbit、3.0V （2.7Vへの3.6V）、-40Cへの85C、DFN 5x6 （テープ&巻き枠）、単一、二重、クォードSPIフラッシュ
工場リードタイム: 32週
接触
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