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parole chiave [ smd memory integrated circuits ] incontro 3183 prodotti.
&amp di memoria dei circuiti integrati AT25DF641A-MH-Y UDFN-8 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati AT25DF641A-MH-Y UDFN-8 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: AT25DF641A-MH-Y
Mfr.: Renesas/dialogo
Descrizione: NÉ flash 64 Mbit, 3.0V (2.7V a 3.6V), -40C a 85C, DFN 5x6 (vassoio), singolo, SPI doppio NÉ flash
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 41 settimana
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&amp di memoria dei circuiti integrati THGBMUG6C1LBAIL FBGA-153 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati THGBMUG6C1LBAIL FBGA-153 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: THGBMUG6C1LBAIL
Mfr.: Kioxia America
Descrizione: eMMC del eMMC 8GB v5.1
Tempo d'esecuzione della fabbrica: Settimane
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&amp di memoria dei circuiti integrati AT25SF041B-SSHD-T SOP-Narrow-8 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati AT25SF041B-SSHD-T SOP-Narrow-8 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: AT25SF041B-SSHD-T
Mfr.: Renesas/dialogo
Descrizione: NÉ flash 4 Mbit, 3.0V (2.5V a 3.6V), -40C a 85C, SOIC-N 150mil (& del nastro; Bobina), singolo, d
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 28 settimane
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&amp di memoria dei circuiti integrati AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: AT25XE512C-XMHN-T
Mfr.: Renesas/dialogo
Descrizione: NÉ flash 512 Kbit, largamente Vcc (1.7V a 3.6V), -40C a 85C, TSSOP (& del nastro; Bobina), fusion
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 32 settimane
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&amp di memoria dei circuiti integrati AT45DB321E-MWHF2B-T VDFN-8 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati AT45DB321E-MWHF2B-T VDFN-8 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: AT45DB321E-MWHF2B-T
Mfr.: Renesas/dialogo
Descrizione: NÉ flash 32 Mbit, 3.0V (2.3V a 3.6V), -40C a 85C, modo di pagina binario da 512 byte, DFN 6x8 (&
Tempo d'esecuzione della fabbrica: Settimane
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&amp di memoria dei circuiti integrati AT25SF161B-SSHB-T SOP-Narrow-8 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati AT25SF161B-SSHB-T SOP-Narrow-8 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: AT25SF161B-SSHB-T
Mfr.: Renesas/dialogo
Descrizione: NÉ flash 16 Mbit, 3.0V (2.7V a 3.6V), -40C a 85C, SOIC-N 150mil (& del nastro; Bobina), singolo,
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 18 settimane
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&amp di memoria dei circuiti integrati AT25SL128A-UUE-T WLCSP-21 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati AT25SL128A-UUE-T WLCSP-21 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: AT25SL128A-UUE-T
Mfr.: Renesas/dialogo
Descrizione: NÉ flash 128 Mbit, 1.8V (1.7V a 2V), -40C a 85C, WLCSP (& del nastro; Bobina), singolo, doppio, q
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 29 settimane
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&amp di memoria dei circuiti integrati AT25XE041B-MAHN-T UDFN-8 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati AT25XE041B-MAHN-T UDFN-8 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: AT25XE041B-MAHN-T
Mfr.: Renesas/dialogo
Descrizione: NÉ flash 4 Mbit, largamente Vcc (1.65V a 3.6V), -40C a 85C, DFN 2x3 (& del nastro; Bobina), fusio
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 31 settimana
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&amp di memoria dei circuiti integrati AT45DB161E-SHF-B SOIC-Wide-8 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati AT45DB161E-SHF-B SOIC-Wide-8 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: AT45DB161E-SHF-B
Mfr.: Renesas/dialogo
Descrizione: NÉ flash 16 Mbit, 3.0V (2.3V a 3.6V), -40C a 85C, SOIC-W 208mil (metropolitana), singolo SPI DataFla
Tempo d'esecuzione della fabbrica: Settimane
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&amp di memoria dei circuiti integrati AT25SL128A-MHE-T UDFN-8 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati AT25SL128A-MHE-T UDFN-8 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: AT25SL128A-MHE-T
Mfr.: Renesas/dialogo
Descrizione: NÉ flash 128 Mbit, 1.8V (1.7V a 2V), -40C a 85C, DFN 5x6 (& del nastro; Bobina), singolo, doppio,
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 29 settimane
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&amp di memoria dei circuiti integrati AT45DB081E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati AT45DB081E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: AT45DB081E-SSHNHC-T
Mfr.: Renesas/dialogo
Descrizione: NÉ flash 8 Mbit, largamente Vcc (1.7V a 3.6V), -40C a 85C, modo di pagina binario da 512 byte, SOIC-
Tempo d'esecuzione della fabbrica: Settimane
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&amp di memoria dei circuiti integrati AT45DB641E-MHN2B-T UDFN-8 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati AT45DB641E-MHN2B-T UDFN-8 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: AT45DB641E-MHN2B-T
Mfr.: Renesas/dialogo
Descrizione: NÉ flash 64 Mbit, largamente Vcc (1.7V a 3.6V), -40C a 85C, modo di pagina binario da 512 byte, DFN
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 25 settimane
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&amp di memoria dei circuiti integrati AT45DQ321-SHF2B-T SOIC-Wide-8 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati AT45DQ321-SHF2B-T SOIC-Wide-8 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: AT45DQ321-SHF2B-T
Mfr.: Renesas/dialogo
Descrizione: NÉ flash 32 Mbit, 3.0V (2.3V a 3.6V), -40C a 85C, modo di pagina binario da 512 byte, SOIC-W 208mil
Tempo d'esecuzione della fabbrica: Settimane
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&amp di memoria dei circuiti integrati AT45DB081E-SHN-T SOIC-Wide-8 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati AT45DB081E-SHN-T SOIC-Wide-8 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: AT45DB081E-SHN-T
Mfr.: Renesas/dialogo
Descrizione: NÉ flash 8 Mbit, largamente Vcc (1.7V a 3.6V), -40C a 85C, SOIC-W 208mil (& del nastro; Bobina),
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 41 settimana
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&amp di memoria dei circuiti integrati AT25SF321B-MHB-T UDFN-8 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati AT25SF321B-MHB-T UDFN-8 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: AT25SF321B-MHB-T
Mfr.: Renesas/dialogo
Descrizione: NÉ flash 32 Mbit, 3.0V (2.7V a 3.6V), -40C a 85C, DFN 5x6 (& del nastro; Bobina), singolo, doppio
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 32 settimane
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