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Schlüsselwörter [ smd memory integrated circuits ] Spiel 3183 produits.
&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25DF641A-MH-Y UDFN-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25DF641A-MH-Y UDFN-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT25DF641A-MH-Y
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 64 Mbit, 3.0V (2.7V zu 3.6V), -40C zu 85C, DFN 5x6 (Behälter), einzelnes, Doppel-SPI NOCH
Fabrik-Vorbereitungszeit: 41 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen THGBMUG6C1LBAIL FBGA-153; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen THGBMUG6C1LBAIL FBGA-153; Datenspeicherung

Mfr. #: THGBMUG6C1LBAIL
Mfr.: Kioxia Amerika
Beschreibung: eMMC 8GB v5.1 eMMC
Fabrik-Vorbereitungszeit: Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25SF041B-SSHD-T SOP-Narrow-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25SF041B-SSHD-T SOP-Narrow-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT25SF041B-SSHD-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 4 Mbit, 3.0V (2.5V zu 3.6V), -40C zu 85C, SOIC-N 150mil (Band & Spule), einzeln, Dopp
Fabrik-Vorbereitungszeit: 28 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT25XE512C-XMHN-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 512 Kbit, weit Vcc (1.7V zu 3.6V), -40C zu 85C, TSSOP (Band & Spule), Fusion (einzeln
Fabrik-Vorbereitungszeit: 32 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB321E-MWHF2B-T VDFN-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB321E-MWHF2B-T VDFN-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT45DB321E-MWHF2B-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 32 Mbit, 3.0V (2.3V zu 3.6V), -40C zu 85C, 512 Byte-binärer Seitenmodus, DFN 6x8 (Band &a
Fabrik-Vorbereitungszeit: Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25SF161B-SSHB-T SOP-Narrow-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25SF161B-SSHB-T SOP-Narrow-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT25SF161B-SSHB-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 16 Mbit, 3.0V (2.7V zu 3.6V), -40C zu 85C, SOIC-N 150mil (Band & Spule), einzeln, Dop
Fabrik-Vorbereitungszeit: 18 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25SL128A-UUE-T WLCSP-21; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25SL128A-UUE-T WLCSP-21; Datenspeicherung

Mfr. #: AT25SL128A-UUE-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 128 Mbit, 1.8V (1.7V zu 2V), -40C zu 85C, WLCSP (Band & Spule), einzeln, Doppel, Vier
Fabrik-Vorbereitungszeit: 29 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25XE041B-MAHN-T UDFN-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25XE041B-MAHN-T UDFN-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT25XE041B-MAHN-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 4 Mbit, weit Vcc (1.65V zu 3.6V), -40C zu 85C, DFN 2x3 (Band & Spule), Fusion (einzel
Fabrik-Vorbereitungszeit: 31 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB161E-SHF-B SOIC-Wide-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB161E-SHF-B SOIC-Wide-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT45DB161E-SHF-B
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 16 Mbit, 3.0V (2.3V zu 3.6V), -40C zu 85C, SOIC-W 208mil (Rohr), einzelnes SPI DataFlash
Fabrik-Vorbereitungszeit: Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25SL128A-MHE-T UDFN-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25SL128A-MHE-T UDFN-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT25SL128A-MHE-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 128 Mbit, 1.8V (1.7V zu 2V), -40C zu 85C, DFN 5x6 (Band & Spule), einzeln, Doppel, Vi
Fabrik-Vorbereitungszeit: 29 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB081E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB081E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT45DB081E-SSHNHC-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 8 Mbit, weit Vcc (1.7V zu 3.6V), -40C zu 85C, 512 Byte-binärer Seitenmodus, SOIC-N 150mil
Fabrik-Vorbereitungszeit: Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB641E-MHN2B-T UDFN-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB641E-MHN2B-T UDFN-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT45DB641E-MHN2B-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 64 Mbit, weit Vcc (1.7V zu 3.6V), -40C zu 85C, 512 Byte-binärer Seitenmodus, DFN 5x6 (Ban
Fabrik-Vorbereitungszeit: 25 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DQ321-SHF2B-T SOIC-Wide-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DQ321-SHF2B-T SOIC-Wide-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT45DQ321-SHF2B-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 32 Mbit, 3.0V (2.3V zu 3.6V), -40C zu 85C, 512 Byte-binärer Seitenmodus, SOIC-W 208mil (B
Fabrik-Vorbereitungszeit: Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB081E-SHN-T SOIC-Wide-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB081E-SHN-T SOIC-Wide-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT45DB081E-SHN-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 8 Mbit, weit Vcc (1.7V zu 3.6V), -40C zu 85C, SOIC-W 208mil (Band & Spule), einzelnes
Fabrik-Vorbereitungszeit: 41 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25SF321B-MHB-T UDFN-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25SF321B-MHB-T UDFN-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT25SF321B-MHB-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 32 Mbit, 3.0V (2.7V zu 3.6V), -40C zu 85C, DFN 5x6 (Band & Spule), einzeln, Doppel, V
Fabrik-Vorbereitungszeit: 32 Wochen
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