logo
ключевые слова [ smd memory integrated circuits ] соответствие 3183 продукты.
&amp памяти интегральных схема AT25DF641A-MH-Y UDFN-8 IC; Хранение данных

&amp памяти интегральных схема AT25DF641A-MH-Y UDFN-8 IC; Хранение данных

Mfr. #: AT25DF641A-MH-Y
Mfr.: Renesas/диалог
Описание: НИ вспышка 64 Mbit, 3.0V (2.7V к 3.6V), -40C к 85C, DFN 5x6 (поднос), одиночное, двойное SPI НИ вспы
Задержка фабрики: 41 неделя
Контакт
&amp памяти интегральных схема THGBMUG6C1LBAIL FBGA-153 IC; Хранение данных

&amp памяти интегральных схема THGBMUG6C1LBAIL FBGA-153 IC; Хранение данных

Mfr. #: THGBMUG6C1LBAIL
Mfr.: Kioxia Америка
Описание: eMMC eMMC 8GB v5.1
Задержка фабрики: Недели
Контакт
&amp памяти интегральных схема AT25SF041B-SSHD-T SOP-Narrow-8 IC; Хранение данных

&amp памяти интегральных схема AT25SF041B-SSHD-T SOP-Narrow-8 IC; Хранение данных

Mfr. #: AT25SF041B-SSHD-T
Mfr.: Renesas/диалог
Описание: НИ вспышка 4 Mbit, 3.0V (2.5V к 3.6V), -40C к 85C, SOIC-N 150mil (& ленты; Вьюрок), одиночный, дв
Задержка фабрики: 28 недель
Контакт
&amp памяти интегральных схема AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8 IC; Хранение данных

&amp памяти интегральных схема AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8 IC; Хранение данных

Mfr. #: AT25XE512C-XMHN-T
Mfr.: Renesas/диалог
Описание: НИ вспышка 512 Kbit, широко Vcc (1.7V к 3.6V), -40C к 85C, TSSOP (& ленты; Вьюрок), сплавливание
Задержка фабрики: 32 недели
Контакт
&amp памяти интегральных схема AT45DB321E-MWHF2B-T VDFN-8 IC; Хранение данных

&amp памяти интегральных схема AT45DB321E-MWHF2B-T VDFN-8 IC; Хранение данных

Mfr. #: AT45DB321E-MWHF2B-T
Mfr.: Renesas/диалог
Описание: НИ вспышка 32 Mbit, 3.0V (2.3V к 3.6V), -40C к 85C, режиму страницы 512 байт бинарному, DFN 6x8 (&am
Задержка фабрики: Недели
Контакт
&amp памяти интегральных схема AT25SF161B-SSHB-T SOP-Narrow-8 IC; Хранение данных

&amp памяти интегральных схема AT25SF161B-SSHB-T SOP-Narrow-8 IC; Хранение данных

Mfr. #: AT25SF161B-SSHB-T
Mfr.: Renesas/диалог
Описание: НИ вспышка 16 Mbit, 3.0V (2.7V к 3.6V), -40C к 85C, SOIC-N 150mil (& ленты; Вьюрок), одиночный, д
Задержка фабрики: 18 недель
Контакт
&amp памяти интегральных схема AT25SL128A-UUE-T WLCSP-21 IC; Хранение данных

&amp памяти интегральных схема AT25SL128A-UUE-T WLCSP-21 IC; Хранение данных

Mfr. #: AT25SL128A-UUE-T
Mfr.: Renesas/диалог
Описание: НИ вспышка 128 Mbit, 1.8V (1.7V к 2V), -40C к 85C, WLCSP (& ленты; Вьюрок), одиночный, двойной, к
Задержка фабрики: 29 недель
Контакт
&amp памяти интегральных схема AT25XE041B-MAHN-T UDFN-8 IC; Хранение данных

&amp памяти интегральных схема AT25XE041B-MAHN-T UDFN-8 IC; Хранение данных

Mfr. #: AT25XE041B-MAHN-T
Mfr.: Renesas/диалог
Описание: НИ вспышка 4 Mbit, широко Vcc (1.65V к 3.6V), -40C к 85C, DFN 2x3 (& ленты; Вьюрок), сплавливание
Задержка фабрики: 31 неделя
Контакт
&amp памяти интегральных схема AT45DB161E-SHF-B SOIC-Wide-8 IC; Хранение данных

&amp памяти интегральных схема AT45DB161E-SHF-B SOIC-Wide-8 IC; Хранение данных

Mfr. #: AT45DB161E-SHF-B
Mfr.: Renesas/диалог
Описание: НИ вспышка 16 Mbit, 3.0V (2.3V к 3.6V), -40C к 85C, SOIC-W 208mil (трубке), одиночному SPI DataFlash
Задержка фабрики: Недели
Контакт
&amp памяти интегральных схема AT25SL128A-MHE-T UDFN-8 IC; Хранение данных

&amp памяти интегральных схема AT25SL128A-MHE-T UDFN-8 IC; Хранение данных

Mfr. #: AT25SL128A-MHE-T
Mfr.: Renesas/диалог
Описание: НИ вспышка 128 Mbit, 1.8V (1.7V к 2V), -40C к 85C, DFN 5x6 (& ленты; Вьюрок), одиночный, двойной,
Задержка фабрики: 29 недель
Контакт
&amp памяти интегральных схема AT45DB081E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8 IC; Хранение данных

&amp памяти интегральных схема AT45DB081E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8 IC; Хранение данных

Mfr. #: AT45DB081E-SSHNHC-T
Mfr.: Renesas/диалог
Описание: НИ вспышка 8 Mbit, широко Vcc (1.7V к 3.6V), -40C к 85C, режиму страницы 512 байт бинарному, SOIC-N
Задержка фабрики: Недели
Контакт
&amp памяти интегральных схема AT45DB641E-MHN2B-T UDFN-8 IC; Хранение данных

&amp памяти интегральных схема AT45DB641E-MHN2B-T UDFN-8 IC; Хранение данных

Mfr. #: AT45DB641E-MHN2B-T
Mfr.: Renesas/диалог
Описание: НИ вспышка 64 Mbit, широко Vcc (1.7V к 3.6V), -40C к 85C, режиму страницы 512 байт бинарному, DFN 5x
Задержка фабрики: 25 недель
Контакт
&amp памяти интегральных схема AT45DQ321-SHF2B-T SOIC-Wide-8 IC; Хранение данных

&amp памяти интегральных схема AT45DQ321-SHF2B-T SOIC-Wide-8 IC; Хранение данных

Mfr. #: AT45DQ321-SHF2B-T
Mfr.: Renesas/диалог
Описание: НИ вспышка 32 Mbit, 3.0V (2.3V к 3.6V), -40C к 85C, режиму страницы 512 байт бинарному, SOIC-W 208mi
Задержка фабрики: Недели
Контакт
&amp памяти интегральных схема AT45DB081E-SHN-T SOIC-Wide-8 IC; Хранение данных

&amp памяти интегральных схема AT45DB081E-SHN-T SOIC-Wide-8 IC; Хранение данных

Mfr. #: AT45DB081E-SHN-T
Mfr.: Renesas/диалог
Описание: НИ вспышка 8 Mbit, широко Vcc (1.7V к 3.6V), -40C к 85C, SOIC-W 208mil (& ленты; Вьюрок), одиночн
Задержка фабрики: 41 неделя
Контакт
&amp памяти интегральных схема AT25SF321B-MHB-T UDFN-8 IC; Хранение данных

&amp памяти интегральных схема AT25SF321B-MHB-T UDFN-8 IC; Хранение данных

Mfr. #: AT25SF321B-MHB-T
Mfr.: Renesas/диалог
Описание: НИ вспышка 32 Mbit, 3.0V (2.7V к 3.6V), -40C к 85C, DFN 5x6 (& ленты; Вьюрок), одиночный, двойной
Задержка фабрики: 32 недели
Контакт
< Previous 16 17 18 19 20 Next > Last Total 213 page