IC統合回路 JAN1N5417US/TR
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 200V |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.5V @ 9A |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 200V |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.5V @ 9A |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 500 V |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.5V @ 9A |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 200V |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.3V @ 1A |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 25 nA @ 30 V |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1V @ 100mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 500 nA @ 75 V |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 100mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 100nA @ 175V |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1V @ 100mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 500 nA @ 75 V |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1V @ 200mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 400 μA @ 20 V |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 450 mV @ 1 A |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 100 μA @ 60 V |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 600 mV @ 1 A |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETタイプ: | Nチャンネル |
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs ((最高) Th) @ ID: | 2.4V @ 1mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | 消耗モード |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| Vgs ((最高) Th) @ ID: | - |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| パッケージ: | トューブ |
| シリーズ: | - |
| Mfr: | マイクロチップ技術 |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 電力管理 (PMIC) 監督者 |
|---|---|
| リセット: | 活動的な低速 |
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電圧-境界: | 4.625V |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 電力管理 (PMIC) 監督者 |
|---|---|
| リセット: | 活動的な低速 |
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電圧-境界: | 4.375V |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |