|
商品の詳細:
|
|
| 起源の場所: | アメリカ合衆国 |
|---|---|
| ブランド名: | Infineon Technologies |
| モデル番号: | CY62167EV30LL-45BVXI |
|
お支払配送条件:
|
|
| 最小注文数量: | 50PCS |
| 価格: | RFQ |
| パッケージの詳細: | ESD/Vacuum/Foam/Cartons |
| 受渡し時間: | すぐに |
| 支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオンの条件付捺印証書、Paypalの査証、MoneyGram |
| 供給の能力: | RFQ |
IC統合回路 CY62167EV30LL-45BVXI VFBGA-48 SRAM
製品記述:
CY62167EV30は,16ビット×1Mワードまたは8ビット×2Mワードとして組織された高性能CMOS静的RAMである.このデバイスは,超低アクティブ電流を提供する高度な回路設計を備えています..超低アクティブ電流は,携帯電話などのポータブルアプリケーションで,バッテリー寿命の延長 (MoBL®) を提供するのに理想的です.このデバイスには,アドレスが切替されていないときに99%の電力消費を削減する自動オフ機能もあります. 選択解除された場合,デバイスを待機モードに置く (CE1 HIGHまたはCE2 LOW,またはBHEとBLEの両方がHIGHである). 入力および出力ピン (I/O0からI/O15) は,次のとき,高阻力状態に置く.装置の選択が中止されている場合 (CE1 HIGH または CE2 LOW),出力は無効 (OE HIGH),バイト高有効とバイト低有効の両方が無効 (BHE,BLE HIGH),または書き込み操作が進行中 (CE1 LOW,CE2 HIGHおよびWE LOW).デバイスに書き込むには,CHIP Enables (CE1 LOW と CE2 HIGH) とWrite Enable (WE) の入力LOWを取ります. バイト低有効 (BLE) が LOW である場合,I/Oピン (I/O0 から I/O7 まで) のデータはアドレスピン (A0 から A19 まで) に指定された位置に書き込まれます.次に,I/Oピンのデータ (I/O8からI/O15) はアドレスピンの位置 (A0からA19) に書き込む..
製品の特徴:
■TSOP I パッケージは1M × 16または2M × 8 SRAMとして設定できます ■非常に高速: 45 ns ■温度範囲:60V ■超低待機電源 典型的な待機電流■ 超低アクティブ電源 ■ 典型的なアクティブ電流: f=1MHzで7mA ■ CE1,CE2で簡単にメモリ拡張■ 選択解除された場合,自動停止 ■ CMOSにより最適な速度と電力を確保 ■ Pb のない 48 ボール VFBGA と 48 ピン TSOP I パッケージで提供
パラメータ表:
| 製品属性 | 属性値 |
| 製造者: | インフィニオン |
| 製品カテゴリー: | SRAM |
| RoHS について | PB 無料 |
| メモリサイズ: | 16 Mbit |
| 組織: | 2 M x 8/1 M x 16 |
| アクセス時間: | 45 ns |
| インターフェイスタイプ: | パラレル |
| 供給電圧 - マックス: | 3.6V |
| 供給電圧 - Min: | 2.2V |
| 供給電流 - マックス: | 30mA |
| 最低動作温度: | - 40°C |
| 最大動作温度: | + 85C |
| マウントスタイル: | SMD/SMT |
| パッケージ/ケース: | VFBGA-48 |
| パッケージ: | トレー |
| ブランド: | インフィニオン・テクノロジーズ |
| メモリタイプ: | 揮発性 |
| 湿度感がある | そうだ |
| ポート数: | 1 |
| 製品タイプ: | SRAM |
| シリーズ: | CY62167EV30LL |
FAQ:
MOQ は不要で,より多くのものを購入すれば,より良い価格を楽しむことができます.
無料のサンプルをお願いできます.
Visa/MasterCard/Wire Transfer/WU/MG/PayPalなど提供しています
私たちは提供します:DHL/UPS/TNT/Fedex/EMS/Aramex/ePacketなど
品質保証期間:12ヶ月
すべての製品は出荷前にテストされ,品質問題はほとんどなかった.
はい,私たちは1つstop購入サービスを提供します,あなたのBOMリストを送信してください
