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Circuitos integrados IC CY62167EV30LL-45BVXI VFBGA-48 SRAM

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Estados Unidos
Marca: Infineon Technologies
Número do modelo: CY62167EV30LL-45BVXI
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 50 PCS
Preço: RFQ
Detalhes da embalagem: ESD/Vacuum/Foam/Cartons
Tempo de entrega: Imediatamente
Termos de pagamento: T/T, Western Union, compromisso, Paypal, visto, MoneyGram
Habilidade da fonte: RFQ
Especificações Descrição de produto Peça umas citações
Especificações
Especificações
RoHS: PB livre
Estilo de montagem: SMD/SMT
Pacote: VFBGA-48
Série: CY62167EV30LL
Quantidade em embalagem de fábrica: 4800
Tipo de produto: SRAM
Descrição de produto

Circuitos integrados IC CY62167EV30LL-45BVXI VFBGA-48 SRAM

 

ProdutoDescrição:

O CY62167EV30 é uma RAM estática CMOS de alto desempenho organizada como 1M palavras por 16 bits ou 2M palavras por 8 bits..A corrente ativa ultra baixa é ideal para fornecer mais duração da bateria (MoBL®) em aplicações portáteis, como telefones celulares.O dispositivo também tem uma função de desligamento automático que reduz o consumo de energia em 99 por cento quando os endereços não estão alternando. Coloque o dispositivo no modo de espera quando deselecionado (CE1 HIGH ou CE2 LOW ou ambos BHE e BLE são HIGH). Os pinos de entrada e saída (I/O0 a I/O15) são colocados num estado de alta impedância quando:Se o dispositivo estiver desativado (CE1 ALTO ou CE2 BAIXO), as saídas estão desativadas (OE HIGH), tanto o Byte High Enable quanto o Byte Low Enable estão desativados (BHE, BLE HIGH), ou uma operação de gravação está em andamento (CE1 LOW, CE2 HIGH e WE LOW).tomar Chip Enables (CE1 LOW e CE2 HIGH) e Write Enable (WE) entrada LOWSe o Byte Low Enable (BLE) for LOW, então os dados dos pins de E/S (I/O0 a I/O7) são escritos no local especificado nos pins de endereço (A0 a A19).Em seguida, os dados dos pinos de entrada/saída (I/O8 a I/O15) são gravados no local especificado nos pinos de endereço (A0 a A19)..

Características do produto:

■ Pacote TSOP I configurável como SRAM 1M × 16 ou 2M × 8 ■ Velocidade muito elevada: 45 ns ■ Intervalos de temperatura ­Industrial: ­40 °C a +85 °C ■ Largo intervalo de tensão: 2,20 V a 3.60 V ■ Potência de espera ultra-baixa: 1.5 A ■ Desligamento automático quando desmarcado ■ CMOS para velocidade e potência ótimas ■ Oferecido em pacotes VFBGA de 48 bolas e TSOP I de 48 pinos sem Pb

 

Tabela de parâmetros:

Atributo do produto Atributo Valor
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: SRAM
RoHS: PB livre
Tamanho da memória: 16 Mbit
Organização: 2 M x 8/1 M x 16
Tempo de acesso: 45 ns
Tipo de interface: Paralelo
Voltagem de alimentação - Max: 3.6 V
Voltagem de alimentação - Min: 2.2 V
Corrente de alimentação - Max: 30 mA
Temperatura de funcionamento mínima: - 40 C.
Temperatura máxima de funcionamento: + 85 C
Estilo de montagem: SMD/SMT
Embalagem / Caixa: VFBGA-48
Embalagem: Caixa
Marca: Tecnologias Infineon
Tipo de memória: Volátil
Sensível à humidade: - Sim, sim.
Número de portos: 1
Tipo de produto: SRAM
Série: CY62167EV30LL

 

Perguntas frequentes:

  • Qual é o seu MOQ?

Não é necessário MOQ, e se você comprar mais, vai desfrutar de melhores preços.

  • Posso obter uma amostra grátis?

Pode pedir às nossas equipas amostras gratuitas.

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Fornecemos: Visa/MasterCard/Transferência bancária/WU/MG/PayPal etc.

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Fornecemos: DHL/UPS/TNT/Fedex/EMS/Aramex/ePacket etc.

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Período de garantia de qualidade: 12 meses.

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Todos os produtos foram testados antes do envio e os problemas de qualidade foram insignificantes.

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