IC 통합 회로 CY62167EV30LL-45BVXI VFBGA-48 SRAM

IC 통합 회로 CY62167EV30LL-45BVXI VFBGA-48 SRAM

제품설명:

CY62167EV30는 1M 단어 × 16 비트 또는 2M 단어 × 8 비트로 구성된 고성능 CMOS 정적 RAM입니다. 이 장치는 초저 활성 전류를 제공하는 고급 회로 디자인을 갖추고 있습니다..초저 활성 전류는 휴대 전화와 같은 휴대용 응용 프로그램에서 더 많은 배터리 수명 (MoBL®) 을 제공하는 데 이상적입니다.이 장치는 또한 자동 전원 끄기 기능이 있습니다. 주소 가 전환 되지 않을 때 99 퍼센트 로 전력 소모 를 줄여줍니다.. 장치가 선택되지 않은 상태에서 대기 모드로 설정 (CE1 HIGH 또는 CE2 LOW 또는 BHE 및 BLE 모두가 HIGH입니다). 입력 및 출력 핀 (I/O0 ~ I/O15) 은 다음과 같은 경우 높은 임피던스 상태로 설정됩니다.장치가 선택되지 않은 경우 (CE1 HIGH 또는 CE2 LOW), 출력이 비활성화 (OE HIGH), 바이트 높은 활성화 및 바이트 낮은 활성화 모두 비활성화 (BHE, BLE HIGH), 또는 기록 작업이 진행 중입니다 (CE1 LOW, CE2 HIGH 및 WE LOW). 장치에 기록하려면,CHIP Enables (CE1 LOW와 CE2 HIGH) 를 가져와 Write Enable (WE) 입력 LOW. 바이트 로우 Enable (BLE) 이 LOW 인 경우, I/O 핀 (I/O0 ~ I/O7) 에서의 데이터는 주소 핀 (A0 ~ A19) 에 지정된 위치에 기록됩니다. 바이트 하이 Enable (BHE) 이 LOW 인 경우,그 다음 I/O 핀 (I/O8 ~ I/O15) 로부터의 데이터는 주소 핀 (A0 ~ A19) 에 지정된 위치에 기록됩니다..

제품 특징:

■ 1M × 16 또는 2M × 8 SRAM로 구성 가능한 TSOP I 패키지 ■ 매우 높은 속도: 45 ns ■ 온도 범위: 산업용: 40 °C ~ + 85 °C ■ 넓은 전압 범위: 2.20 V ~ 3.60V ■ 초저준비 전력: 1.5A 최대 대기 전류: 12A ■ 극저전력 ■ 전형적인 전류: f = 1MHz에서 7mA ■ CE1, CE2로 쉽게 메모리 확장및 OE 기능 ■ 선택이 취소되면 자동 전원 종료 ■ 최적의 속도와 전력을위한 CMOS ■ Pb 없는 48 볼 VFBGA 및 48 핀 TSOP I 패키지로 제공됩니다

매개 변수 테이블:

FAQ:

• MOQ는 얼마인가요?

MOQ가 필요없고 더 많이 구매하면 더 좋은 가격을 즐길 수 있습니다.

• 무료 샘플 좀 줄래요?

당신은 우리의 직원에게 무료 샘플을 요청할 수 있습니다.

• 어떤 결제 방법을 지원하나요?

우리는 Visa/MasterCard/Wire Transfer/WU/MG/PayPal 등을 제공합니다.

• 운송 방법은?

우리는:DHL/UPS/TNT/Fedex/EMS/Aramex/ePacket 등을 제공합니다.

• 어떻게 품질을 보장할 수 있을까요?

품질 보증 기간:12개월

• 상품은 배송 전에 테스트 되었나요?

모든 제품은 출하 전에 테스트되었으며 품질 문제는 무시할 수 없었습니다.

• BOM 서비스를 제공하십니까?

네, 우리는 원스톱 구매 서비스를 제공합니다, Bom 목록을 보내주세요