| श्रेणी: | असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs |
|---|---|
| एफईटी सुविधा: | - |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 3.6V @ 2.96mA |
| परिचालन तापमान: | -55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे) |
| पैकेज / मामला: | TO-268-3, D³Pak (2 लीड्स + टैब), TO-268AA |
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| पैकेज: | बॉक्स |
| श्रृंखला: | - |
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| पैकेज: | बॉक्स |
| श्रृंखला: | - |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 150 V |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 875 एमवी @ 1 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 50 µA @ 45 V |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 490 एमवी @ 1 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 एमए @ 200 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 900 एमवी @ 60 ए |
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| पैकेज: | बॉक्स |
| श्रृंखला: | - |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 250 µA @ 600 V |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.8 वी @ 60 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 250 µA @ 600 V |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.8 वी @ 30 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 50 एनए @ 400 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1 वी @ 400 एमए |
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| पैकेज: | ट्यूब |
| श्रृंखला: | - |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 एमए @ 40 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 450 एमवी @ 8 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 500 एनए @ 75 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 100 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 200 μA @ 1200 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.8 वी @20 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 एनए @ 125 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 920 एमवी @ 100 एमए |
