| دسته بندی: | محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور FETs، MOSFETs Single FET، MOSFET |
|---|---|
| ویژگی FET: | - |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID: | 3.6V @ 2.96mA |
| دمای کار: | -55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ) |
| بسته بندی / کیس: | TO-268-3، D³Pak (2 Lead + Tab)، TO-268AA |
| دسته بندی: | مدارهای یکپارچه (IC) حافظه حافظه |
|---|---|
| وضعیت محصول: | فعال |
| نوع نصب: | از طریق سوراخ |
| بسته بندی: | جعبه |
| سری: | - |
| دسته بندی: | مدارهای یکپارچه (IC) حافظه حافظه |
|---|---|
| وضعیت محصول: | فعال |
| نوع نصب: | از طریق سوراخ |
| بسته بندی: | جعبه |
| سری: | - |
| دسته بندی: | محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها |
|---|---|
| وضعیت محصول: | فعال |
| جریان - نشت معکوس @ Vr: | 1 µA @ 150 V |
| نوع نصب: | ارتفاع سطح |
| ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: | 875 mV @ 1 A |
| دسته بندی: | محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها |
|---|---|
| وضعیت محصول: | فعال |
| جریان - نشت معکوس @ Vr: | 50 µA @ 45 V |
| نوع نصب: | ارتفاع سطح |
| ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: | 490 mV @ 1 A |
| دسته بندی: | محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها |
|---|---|
| وضعیت محصول: | فعال |
| جریان - نشت معکوس @ Vr: | 1 میلی آمپر @ 200 ولت |
| نوع نصب: | از طریق سوراخ |
| ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: | 900 mV @ 60 A |
| دسته بندی: | مدارهای یکپارچه (IC) حافظه حافظه |
|---|---|
| وضعیت محصول: | فعال |
| نوع نصب: | از طریق سوراخ |
| بسته بندی: | جعبه |
| سری: | - |
| دسته بندی: | محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها |
|---|---|
| وضعیت محصول: | فعال |
| جریان - نشت معکوس @ Vr: | 250 µA @ 600 V |
| نوع نصب: | از طریق سوراخ |
| ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: | 1.8 V @ 60 A |
| دسته بندی: | محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها |
|---|---|
| وضعیت محصول: | فعال |
| جریان - نشت معکوس @ Vr: | 250 µA @ 600 V |
| نوع نصب: | از طریق سوراخ |
| ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: | 1.8 V @ 30 A |
| دسته بندی: | محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها |
|---|---|
| وضعیت محصول: | فعال |
| جریان - نشت معکوس @ Vr: | 50 nA @ 400 V |
| نوع نصب: | از طریق سوراخ |
| ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: | 1 ولت @ 400 میلی آمپر |
| دسته بندی: | مدارهای یکپارچه (IC) حافظه حافظه |
|---|---|
| وضعیت محصول: | فعال |
| نوع نصب: | ارتفاع سطح |
| بسته بندی: | لوله |
| سری: | - |
| دسته بندی: | محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها |
|---|---|
| وضعیت محصول: | فعال |
| جریان - نشت معکوس @ Vr: | 5 میلی آمپر @ 40 ولت |
| نوع نصب: | ارتفاع سطح |
| ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: | ۴۵۰ میلی ولت @ ۸ آ |
| دسته بندی: | محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها |
|---|---|
| وضعیت محصول: | فعال |
| جریان - نشت معکوس @ Vr: | 500 nA @ 75 V |
| نوع نصب: | ارتفاع سطح |
| ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: | 1.2 ولت @ 100 میلی آمپر |
| دسته بندی: | محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها |
|---|---|
| وضعیت محصول: | فعال |
| جریان - نشت معکوس @ Vr: | 200 µA @ 1200 V |
| نوع نصب: | از طریق سوراخ |
| ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: | 1.8V @ 20A |
| دسته بندی: | محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها |
|---|---|
| وضعیت محصول: | فعال |
| جریان - نشت معکوس @ Vr: | 1 nA @ 125 V |
| نوع نصب: | ارتفاع سطح |
| ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر: | 920 میلی ولت @ 100 میلی آمپر |
