| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Identificação de Vgs (th) (máximo) @: | 30,6 V @ 2,96 mA |
| Temperatura de funcionamento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Embalagem / Caixa: | TO-268-3, ³ Pak de D (2 ligações + abas), TO-268AA |
| Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Pacote: | Caixa |
| Série: | - |
| Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Pacote: | Caixa |
| Série: | - |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 1 μA @ 150 V |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 875 mV @ 1 A |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 50 μA @ 45 V |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 490 mV @ 1 A |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 1 mA @ 200 V |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 900 mV @ 60 A |
| Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Pacote: | Caixa |
| Série: | - |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 250 μA @ 600 V |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1.8 V @ 60 A |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 250 μA @ 600 V |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1,8 V @ 30 A |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 50 nA @ 400 V |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1 V @ 400 mA |
| Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Pacote: | Tubos |
| Série: | - |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 5 mA @ 40 V |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 450 mV @ 8 A |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 500 nA @ 75 V |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1.2 V @ 100 mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | µA 200 @ 1200 V |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1.8 V @ 20 A |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 1 nA @ 125 V |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 920 mV @ 100 mA |
