| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @: | 3.6V @ 2.96mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | TO-268-3, ³ Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-268AA |
| Categoría: | Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Paquete: | Cuadro |
| Serie: | - |
| Categoría: | Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Paquete: | Cuadro |
| Serie: | - |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 1 μA @ 150 V |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 875 mV @ 1 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 50 μA @ 45 V |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 490 mV @ 1 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 1 mA @ 200 V |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | Las emisiones de dióxido de carbono se calcularán de acuerdo con el método siguiente: |
| Categoría: | Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Paquete: | Cuadro |
| Serie: | - |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 250 μA @ 600 V |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.8 V @ 60 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 250 μA @ 600 V |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1,8 V @ 30 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable será el siguiente: |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1 V @ 400 mA |
| Categoría: | Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Paquete: | El tubo |
| Serie: | - |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 5 mA @ 40 V |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 450 mV @ 8 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | Las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.2 V @ 100 mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | µA 200 @ 1200 V |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.8 V @ 20 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 1 nA @ 125 V |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 920 mV @ 100 mA |
