| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Id Vgs (th) (Макс) @: | 30,6 В @ 2,96 мА |
| Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | TO-268-3, ³ Пак d (2 руководства + платы), TO-268AA |
| Категория: | Интегрированные схемы (IC) Память Память |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Пакет: | Коробка |
| Серия: | - |
| Категория: | Интегрированные схемы (IC) Память Память |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Пакет: | Коробка |
| Серия: | - |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 1 μA @ 150 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 875 мВ @ 1 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 50 μA @ 45 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 490 мВ @ 1 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 1 мА @ 200 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 900 мВ @ 60 А |
| Категория: | Интегрированные схемы (IC) Память Память |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Пакет: | Коробка |
| Серия: | - |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 250 μA @ 600 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.8 В @ 60 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 250 μA @ 600 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1,8 V @ 30 A |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 50 nA @ 400 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1 В @ 400 мА |
| Категория: | Интегрированные схемы (IC) Память Память |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Пакет: | Трубка |
| Серия: | - |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 5 мА @ 40 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 450 мВ @ 8 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 500 nA @ 75 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.2 V @ 100 mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | µA 200 @ 1200 v |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.8 В @ 20 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 1 nA @ 125 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 920 мВ @ 100 мА |
