| শ্রেণী: | বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| অপারেটিং তাপমাত্রা - জংশন: | -65°C ~ 150°C |
| মাউন্ট টাইপ: | পৃষ্ঠের মাউন্ট |
| ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি: | 500 mV @ 3 A |
| শ্রেণী: | বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর: | 25 µA @ 600 V |
| মাউন্ট টাইপ: | গর্তের মধ্য দিয়ে |
| ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি: | 2.4 ভি @ 60 এ |
| শ্রেণী: | বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর: | 1 mA @ 20 V |
| মাউন্ট টাইপ: | পৃষ্ঠের মাউন্ট |
| ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি: | 550 mV @ 1 A |
| শ্রেণী: | বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| প্যাকেজ: | বাল্ক |
| সিরিজ: | * |
| এমএফআর: | মাইক্রোচিপ প্রযুক্তি |
| শ্রেণী: | বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ডায়োড রেকটিফায়ার একক ডায়োড |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর: | 100 µA @ 50 V |
| মাউন্ট টাইপ: | গর্তের মধ্য দিয়ে |
| ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি: | 1.১ ভি @ ৪০০ এমএ |
| শ্রেণী: | ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (IC) স্মৃতিশক্তি স্মৃতিশক্তি |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| মাউন্ট টাইপ: | গর্তের মধ্য দিয়ে |
| প্যাকেজ: | বাক্স |
| সিরিজ: | - |
| শ্রেণী: | বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ট্রানজিস্টর FET, MOSFETs একক FET, MOSFET |
|---|---|
| FET প্রকার: | এন-চ্যানেল |
| FET বৈশিষ্ট্য: | - |
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| মাউন্ট টাইপ: | গর্তের মধ্য দিয়ে |
| শ্রেণী: | ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (IC) স্মৃতিশক্তি স্মৃতিশক্তি |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| মাউন্ট টাইপ: | পৃষ্ঠের মাউন্ট |
| প্যাকেজ: | টিউব |
| সিরিজ: | - |
| শ্রেণী: | ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (IC) স্মৃতিশক্তি স্মৃতিশক্তি |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| মাউন্ট টাইপ: | গর্তের মধ্য দিয়ে |
| প্যাকেজ: | টিউব |
| সিরিজ: | - |
| শ্রেণী: | বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ট্রানজিস্টর FET, MOSFETs একক FET, MOSFET |
|---|---|
| FET বৈশিষ্ট্য: | - |
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| মাউন্ট টাইপ: | পৃষ্ঠের মাউন্ট |
| Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি: | 2V @ 1mA |
| শ্রেণী: | বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ট্রানজিস্টর FET, MOSFETs একক FET, MOSFET |
|---|---|
| FET বৈশিষ্ট্য: | অবক্ষয় মোড |
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| মাউন্ট টাইপ: | গর্তের মধ্য দিয়ে |
| Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি: | - |
| শ্রেণী: | ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (IC) স্মৃতিশক্তি স্মৃতিশক্তি |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| মাউন্ট টাইপ: | গর্তের মধ্য দিয়ে |
| প্যাকেজ: | বাক্স |
| সিরিজ: | - |
| শ্রেণী: | বিচ্ছিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পণ্য ট্রানজিস্টর FET, MOSFETs একক FET, MOSFET |
|---|---|
| FET বৈশিষ্ট্য: | - |
| Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি: | 3.6V @ 2.96mA |
| অপারেটিং তাপমাত্রা: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| প্যাকেজ / কেস: | TO-268-3, D³Pak (2 লিড + ট্যাব), TO-268AA |
| শ্রেণী: | ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (IC) স্মৃতিশক্তি স্মৃতিশক্তি |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| মাউন্ট টাইপ: | গর্তের মধ্য দিয়ে |
| প্যাকেজ: | বাক্স |
| সিরিজ: | - |
| শ্রেণী: | ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (IC) স্মৃতিশক্তি স্মৃতিশক্তি |
|---|---|
| পণ্যের অবস্থা: | সক্রিয় |
| মাউন্ট টাইপ: | গর্তের মধ্য দিয়ে |
| প্যাকেজ: | বাক্স |
| সিরিজ: | - |
