| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Temperatura de funcionamiento - empalme: | -65 °C ~ 150 °C |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 500 milivoltio @ 3 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 25 μA @ 600 V |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 2.4 V @ 60 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | 1 mA @ 20 V |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 550 mV @ 1 A |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Paquete: | En bruto |
| Serie: | * |
| El Sr.: | Tecnología de microchips |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Corriente - fuga inversa @ Vr: | El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el siguiente: |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): | 1.1 V @ 400 mA |
| Categoría: | Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Paquete: | Cuadro |
| Serie: | - |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Tipo del FET: | Canal N |
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Categoría: | Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Paquete: | El tubo |
| Serie: | - |
| Categoría: | Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Paquete: | El tubo |
| Serie: | - |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @: | 2V @ 1mA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | Modo de agotamiento |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @: | - |
| Categoría: | Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Paquete: | Cuadro |
| Serie: | - |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @: | 3.6V @ 2.96mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | TO-268-3, ³ Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-268AA |
| Categoría: | Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Paquete: | Cuadro |
| Serie: | - |
| Categoría: | Circuitos integrados (CI) Memoria Memoria |
|---|---|
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Paquete: | Cuadro |
| Serie: | - |
