| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Temperatura robocza — złącze: | -65°C ~ 150°C |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 500 mV @ 3 A |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Prąd — upływ wsteczny @ Vr: | 25 µA przy 600 V |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 2.4 V @ 60 A |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Prąd — upływ wsteczny @ Vr: | 1 mA przy 20 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 550 mV @ 1 A |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Pakiet: | Wyroby masowe |
| Zestaw: | * |
| Mfr: | Technologia mikroczipów |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Prąd — upływ wsteczny @ Vr: | 100 µA przy 50 V |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 1,1 V przy 400 mA |
| Kategoria: | Obwody zintegrowane Pamięć Pamięć |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Pakiet: | KASEK |
| Zestaw: | - |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Typ FET: | Kanał N |
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Kategoria: | Obwody zintegrowane Pamięć Pamięć |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Pakiet: | rurka |
| Zestaw: | - |
| Kategoria: | Obwody zintegrowane Pamięć Pamięć |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Pakiet: | rurka |
| Zestaw: | - |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 2 V przy 1 mA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | Tryb wyczerpania |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | - |
| Kategoria: | Obwody zintegrowane Pamięć Pamięć |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Pakiet: | KASEK |
| Zestaw: | - |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 30,6 V @ 2,96 mA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | TO-268-3, D³Pak (2 przewody + zakładka), TO-268AA |
| Kategoria: | Obwody zintegrowane Pamięć Pamięć |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Pakiet: | KASEK |
| Zestaw: | - |
| Kategoria: | Obwody zintegrowane Pamięć Pamięć |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Pakiet: | KASEK |
| Zestaw: | - |
