| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Рабочая температура - соединение: | -65°C ~ 150°C |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 500 mV @ 3 a |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 25 μA @ 600 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 2.4 В @ 60 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 1 мА @ 20 В |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 550 мВ @ 1 А |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Пакет: | Насыщенные |
| Серия: | * |
| Мфр: | Технология микрочипов |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Диоды Ректификаторы Однодиодные |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Ток - обратная утечка @ Vr: | 100 μA @ 50 В |
| Тип установки: | Через дыру |
| Напряжение - вперед (Vf) (макс.): | 1.1 V @ 400 mA |
| Категория: | Интегрированные схемы (IC) Память Память |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Пакет: | Коробка |
| Серия: | - |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Интегрированные схемы (IC) Память Память |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Пакет: | Трубка |
| Серия: | - |
| Категория: | Интегрированные схемы (IC) Память Память |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Пакет: | Трубка |
| Серия: | - |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Id Vgs (th) (Макс) @: | 2V @ 1mA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | Режим исчерпания |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Id Vgs (th) (Макс) @: | - |
| Категория: | Интегрированные схемы (IC) Память Память |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Пакет: | Коробка |
| Серия: | - |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Id Vgs (th) (Макс) @: | 30,6 В @ 2,96 мА |
| Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | TO-268-3, ³ Пак d (2 руководства + платы), TO-268AA |
| Категория: | Интегрированные схемы (IC) Память Память |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Пакет: | Коробка |
| Серия: | - |
| Категория: | Интегрированные схемы (IC) Память Память |
|---|---|
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Пакет: | Коробка |
| Серия: | - |
