| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Temperatura de funcionamento - junção: | -65°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 500 milivolt @ 3 A |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 25 μA @ 600 V |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 2.4 V @ 60 A |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 1 mA @ 20 V |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 550 mV @ 1 A |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Pacote: | Em granel |
| Série: | * |
| Mfr: | Tecnologia de microchip |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr: | 100 μA |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Voltagem - para a frente (Vf) (máximo): | 1.1 V @ 400 mA |
| Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Pacote: | Caixa |
| Série: | - |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Tipo do FET: | N-canal |
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Pacote: | Tubos |
| Série: | - |
| Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Pacote: | Tubos |
| Série: | - |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Montagem de superfície |
| Identificação de Vgs (th) (máximo) @: | 2V @ 1mA |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | Modo de esgotamento |
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Identificação de Vgs (th) (máximo) @: | - |
| Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Pacote: | Caixa |
| Série: | - |
| Categoria: | Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs |
|---|---|
| Característica do FET: | - |
| Identificação de Vgs (th) (máximo) @: | 30,6 V @ 2,96 mA |
| Temperatura de funcionamento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Embalagem / Caixa: | TO-268-3, ³ Pak de D (2 ligações + abas), TO-268AA |
| Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Pacote: | Caixa |
| Série: | - |
| Categoria: | Circuitos integrados (CI) Memória Memória |
|---|---|
| Estatuto do produto: | Atividade |
| Tipo de montagem: | Através do Buraco |
| Pacote: | Caixa |
| Série: | - |
