| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Betriebstemperatur - Kreuzung: | -65 °C bis 150 °C |
| Typ der Montage: | Oberflächenbefestigung |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: | 500 Millivolt @ 3 A |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: | 25 μA @ 600 V |
| Typ der Montage: | Durchs Loch |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: | 2.4 V @ 60 A |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: | 1 mA @ 20 V |
| Typ der Montage: | Oberflächenbefestigung |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: | 550 mV @ 1 A |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Paket: | Schüttgut |
| Reihe: | * |
| Mfr: | Mikrochiptechnik |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: | 100 μA @ 50 V |
| Typ der Montage: | Durchs Loch |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: | 1.1 V @ 400 mA |
| Kategorie: | Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Durchs Loch |
| Paket: | Schachtel |
| Reihe: | - |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Art: | N-Kanal |
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Durchs Loch |
| Kategorie: | Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Oberflächenbefestigung |
| Paket: | Schlauch |
| Reihe: | - |
| Kategorie: | Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Durchs Loch |
| Paket: | Schlauch |
| Reihe: | - |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Oberflächenbefestigung |
| Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: | 2V @ 1mA |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | Auslaufmodus |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Durchs Loch |
| Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: | - |
| Kategorie: | Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Durchs Loch |
| Paket: | Schachtel |
| Reihe: | - |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: | 3.6V @ 2.96mA |
| Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | TO-268-3, d-³ PAK (2 Führungen + Vorsprung), TO-268AA |
| Kategorie: | Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Durchs Loch |
| Paket: | Schachtel |
| Reihe: | - |
| Kategorie: | Integrierte Schaltungen (IC) Gedächtnis Gedächtnis |
|---|---|
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Durchs Loch |
| Paket: | Schachtel |
| Reihe: | - |
