Les circuits intégrés IC MT28EW512ABA1LJS-0SIT TSOP-56 NOR Flash

Les circuits intégrés IC MT28EW512ABA1LJS-0SIT TSOP-56 NOR Flash

Description du produit:

L'appareil est un bloc asynchrone, uniforme, parallèle NOR Flash périphérique de mémoire.l'appareil par défaut pour lire le mode de tableauLe tableau de mémoire principale est divisé en blocs uniformes qui peuvent être effacés indépendamment afin que les données valides puissent être préservées pendant que les anciennes données sont effacées.Les commandes PROGRAM et ERASE sont écrites à l'interface de commande de la mémoireUn contrôleur de programmation/effacement sur puce simplifie le processus de programmation ou d'effacement de la mémoire en s'occupant de toutes les opérations spéciales requises pour mettre à jour le contenu de la mémoire.La fin d'une opération PROGRAM ou ERASE peut être détectée et toute condition d'erreur peut être identifiée. Le jeu de commandes requis pour contrôler l'appareil est conforme aux normes JEDEC. CE#, OE# et WE# contrôlent le fonctionnement du bus de l'appareil et permettent une connexion simple à la plupart des microprocesseurs,souvent sans logique supplémentaire. L'appareil prend en charge la lecture aléatoire asynchrone et la lecture de page à partir de tous les blocs du tableau.Il dispose également d'un tampon de programme interne qui améliore le débit en programmant 512 mots via une séquence de commandes. Un bloc de mémoire étendue de 128 mots chevauche les adresses avec le bloc de tableau 0. Les utilisateurs peuvent programmer cet espace supplémentaire et le protéger pour sécuriser définitivement le contenu.L'appareil dispose également de différents niveaux de protection matérielle et logicielle pour sécuriser les blocs contre les modifications indésirables.

Caractéristiques:

• Technologie de cellule à niveau unique (SLC) • Densité: 512 Mb • Voltage d'alimentation VCC = 2.7V 3.6V (programme, effacement, lecture) VCCQ = 1.65 VCC ( tampons d'entrée/sortie)16 mots ou 32 octets: 20ns Accès aléatoire: 95ns (VCC = VCCQ = 2,7-3,6V) Accès aléatoire: 100ns (VCCQ = 1,65-VCC) • Programme tampon (tampon de programme de 512 mots) 2.0 MB/s (TYP) lors de l'utilisation du programme tampon complet 2.5 MB/s (TYP) lors de l'utilisation du programme de tampon accéléré (VHH) • programme Word/Byte: 25us par mot (TYP) • Effacement de bloc (128KB): 0,2s (TYP) • Organisation de la mémoire 128KB or 64KW each – x8/x16 data bus • Program/erase suspend and resume capability – Read from another block during a PROGRAM SUSPEND operation – Read or program another block during an ERASE SUSPEND operation • Unlock bypass, effacement de bloc, effacement de puce et capacité d'écriture au tampon

Tableau des paramètres:

FAQ:

• Quel est votre MOQ?

Aucun MOQ nécessaire, et si vous achetez plus, vous profiterez de meilleurs prix.

• Je peux avoir un échantillon gratuit?

Vous pouvez demander gratuitement des échantillons à notre personnel.

• Quels modes de paiement prenez-vous en charge?

Nous fournissons: Visa/MasterCard/Transfert bancaire/WU/MG/PayPal, etc.

• Et les méthodes d'expédition?

Nous fournissons:DHL/UPS/TNT/Fedex/EMS/Aramex/ePacket etc.

• Comment pouvez-vous garantir la qualité?

Période de garantie qualité: 12 mois.

• Les produits sont-ils testés avant expédition?

Tous les produits ont été testés avant expédition et les problèmes de qualité étaient négligeables.

• Vous fournissez des services de BOM?

Oui, nous fournissons un service d'achat à guichet unique, S'il vous plaît envoyez-nous votre liste de Bom