Circuiti integrati IC MT28EW512ABA1LJS-0SIT TSOP-56 NOR Flash

Circuiti integrati IC MT28EW512ABA1LJS-0SIT TSOP-56 NOR Flash

Descrizione del prodotto:

Il dispositivo è un dispositivo di memoria NOR Flash parallelo e a blocco uniforme e asincrono.il dispositivo imposta la modalità di lettura della matrice. La matrice di memoria principale è divisa in blocchi uniformi che possono essere cancellati indipendentemente in modo che i dati validi possano essere conservati mentre i dati vecchi vengono eliminati.I comandi PROGRAM e ERASE vengono scritti nell'interfaccia di comando della memoriaUn programma/controller di cancellazione su chip semplifica il processo di programmazione o cancellazione della memoria prendendosi cura di tutte le operazioni speciali necessarie per aggiornare il contenuto della memoria.È possibile rilevare la fine di un'operazione PROGRAMMA o ERASE e identificare qualsiasi condizione di errore. Il set di comandi richiesto per il controllo del dispositivo è conforme agli standard JEDEC. CE#, OE# e WE# controllano il funzionamento del bus del dispositivo e consentono una semplice connessione alla maggior parte dei microprocessori,spesso senza ulteriore logicaIl dispositivo supporta la lettura casuale e la lettura di pagine asynchrone da tutti i blocchi dell'array.Dispone anche di un buffer interno che migliora il throughput programmando 512 parole tramite una sequenza di comandi. Un blocco di memoria estesa di 128 parole sovrappone gli indirizzi con il blocco di matrice 0. Gli utenti possono programmare questo spazio aggiuntivo e quindi proteggerlo per proteggere permanentemente il contenuto.Il dispositivo dispone anche di diversi livelli di protezione hardware e software per proteggere i blocchi da modifiche indesiderate.

Caratteristiche:

• Tecnologia delle celle a livello singolo (SLC) • Densità: 512Mb • Tensione di alimentazione VCC = 2.7 3.6V (programma, cancellazione, lettura) VCCQ = 1.65 - VCC (buffer I/O) • Lettura casuale/pagina asincrona Dimensione della pagina:16 parole o 32 byte accesso alla pagina: 20ns Access aleatorio: 95ns (VCC = VCCQ = 2,7-3,6V) Access aleatorio: 100ns (VCCQ = 1,65-VCC) • Programma buffer (buffer del programma di 512 parole) 2.0 MB/s (TYP) quando si utilizza un programma buffer completo 2.5 MB/s (TYP) quando si utilizza il programma di buffer accelerato (VHH) • programma Word/Byte: 25us per parola (TYP) • Cancellazione di blocchi (128KB): 0,2s (TYP) • Organizzazione della memoria 128KB or 64KW each – x8/x16 data bus • Program/erase suspend and resume capability – Read from another block during a PROGRAM SUSPEND operation – Read or program another block during an ERASE SUSPEND operation • Unlock bypass, cancellazione di blocchi, cancellazione di chip e capacità di scrittura in buffer

Tabella dei parametri:

FAQ:

• Qual e' il tuo MOQ?

Non è necessario MOQ, e se si acquista di più, godrà di prezzi migliori.

• Posso avere un campione gratis?

Potete chiedere ai nostri collaboratori dei campioni gratuiti.

• Quali metodi di pagamento supportate?

Forniamo: Visa/MasterCard/Wire Transfer/WU/MG/PayPal ecc.

• E i metodi di spedizione?

Forniamo:DHL/UPS/TNT/Fedex/EMS/Aramex/ePacket ecc.

• Come potete garantire la qualità?

Periodo di garanzia della qualità: 12 mesi.

• I prodotti sono testati prima della spedizione?

Tutti i prodotti sono stati testati prima della spedizione e i problemi di qualità sono stati trascurabili.

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Sì, forniamo un servizio di acquisto completo, per favore inviateci la vostra lista Bom