IC統合回路 MT28EW512ABA1LJS-0SIT TSOP-56 NORフラッシュ

IC統合回路 MT28EW512ABA1LJS-0SIT TSOP-56 NORフラッシュ

製品説明:

このデバイスは,非同期,均質なブロック,並行 NOR Flash メモリーデバイスである. READ,ERASE,および PROGRAM 操作は,単一の低電圧供給を使用して実行される.電源アップ時に,電源は,電源を入力し,電源を入力する.デバイスは,配列モードを読み込むためにデフォルトメインメモリ配列は,単一ブロックに分けられ,独立して消去され,古いデータが消去される間に有効なデータが保存されます.PROGRAM と ERASE コマンドはメモリのコマンドインターフェースに書き込まれますチップ内プログラム/消去コントローラは,メモリコンテンツを更新するために必要なすべての特殊操作を処理することによって,メモリをプログラムまたは消去するプロセスを簡素化します.PROGRAM またはERASE 操作の終了が検知され,あらゆるエラー状態が特定できますCE#,OE#,WE#はデバイスのバス操作を制御し,ほとんどのマイクロプロセッサへの簡単な接続を可能にします.多くの場合,追加の論理なしでこのデバイスは,配列のすべてのブロックからアシンクロンランダムリーディングとページリーディングをサポートします.512文字を 1つのコマンドシーケンスでプログラムすることで 処理能力を向上させる 内部プログラムバッファも搭載しています. 128文字の拡張メモリブロックは,配列ブロック0とアドレスを重複します. ユーザーはこの追加のスペースをプログラムし,それを永久にコンテンツを保護することができます.デバイスはまた,不必要な変更からブロックを保護するためにハードウェアとソフトウェアの保護の異なるレベルを備えています.

特徴:

•単レベルセル (SLC) テクノロジー •密度:512Mb •電源電圧 〜VCC=2.7〜3.6V (プログラム,消去,読み込み) 〜VCCQ=1.65 - VCC (I/Oバッファー) •アシンクロンランダム/ページ読み込み 〜ページサイズ:ページへのアクセス: 20ns ランダムアクセス: 95ns (VCC = VCCQ = 2.7-3.6V) ランダムアクセス: 100ns (VCCQ = 1.65-VCC) • バッファープログラム (512語プログラムバッファー) 完全バッファープログラムを使用する場合2.0 MB/s (TYP)5 MB/s (TYP) 加速バッファプログラム (VHH) を使用する場合 • Word/Byte プログラム: 25us/word (TYP) • ブロック消去 (128KB): 0.2s (TYP) • メモリー組織 128KB or 64KW each – x8/x16 data bus • Program/erase suspend and resume capability – Read from another block during a PROGRAM SUSPEND operation – Read or program another block during an ERASE SUSPEND operation • Unlock bypass,ブロック消去,チップ消去,およびバッファに書き込みする機能

パラメータ表:

FAQ:

• MOQは何ですか?

MOQ は不要で,より多くのものを購入すれば,より良い価格を楽しむことができます.

• 無料のサンプルを貰える?

無料のサンプルをお願いできます.

• どの支払い方法がサポートされていますか?

Visa/MasterCard/Wire Transfer/WU/MG/PayPalなど提供しています

• 輸送方法はどうだ?

私たちは提供します:DHL/UPS/TNT/Fedex/EMS/Aramex/ePacketなど

• どうやって品質を保証する?

品質保証期間:12ヶ月

• 商品は出荷前に検査されていますか?

すべての製品は出荷前にテストされ,品質問題はほとんどなかった.

• BOM サービスを提供していますか?

はい,私たちは1つstop購入サービスを提供します,あなたのBOMリストを送信してください