Produktdetails:
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Herkunftsort: | USA |
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Markenname: | MICRON |
Modellnummer: | MT28EW512ABA1LJS-0SIT |
Zahlung und Versand AGB:
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Min Bestellmenge: | 50 Stück |
Preis: | RFQ |
Verpackung Informationen: | ESD/Vacuum/Foam/Cartons |
Lieferzeit: | Sofort |
Zahlungsbedingungen: | T/T, Western Union, Übertragungsurkunde, Paypal, Visum, MoneyGram |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | Zulassung |
IC-Integrierte Schaltungen MT28EW512ABA1LJS-0SIT TSOP-56 NOR Blitz
Beschreibung des Produkts:
Das Gerät ist ein asynchroner, einheitlicher Block, Parallel-NOR-Flash-Speichergerät.Das Gerät liest standardmäßig den Array-ModusDas Hauptspeicherarray ist in einheitliche Blöcke unterteilt, die unabhängig voneinander gelöscht werden können, so dass gültige Daten erhalten bleiben können, während alte Daten gelöscht werden.Die Befehle PROGRAM und ERASE werden in die Kommandooberfläche des Speichers geschriebenEin auf dem Chip befindlicher Programm-/ Löschcontroller vereinfacht den Prozess der Programmierung oder Löschung des Speichers, indem er alle speziellen Operationen übernimmt, die zur Aktualisierung des Speicherinhalts erforderlich sind.Das Ende eines PROGRAMM- oder ERASE-Betriebs kann erkannt und jede Fehlerbedingung identifiziert werden. Der Befehlssatz zur Steuerung des Geräts entspricht den JEDEC-Standards. CE#, OE# und WE# steuern den Bussbetrieb des Geräts und ermöglichen eine einfache Verbindung zu den meisten Mikroprozessoren,oft ohne zusätzliche LogikDas Gerät unterstützt asynchrone Zufallslesungen und Seitenlesungen von allen Blöcken des Arrays.Es verfügt auch über einen internen Programmpuffer, der den Durchsatz verbessert, indem 512 Wörter über eine Befehlssequenz programmiert werden. Ein 128 Wörter langes Speicherblock überlagert Adressen mit dem Arrayblock 0. Benutzer können diesen zusätzlichen Speicherplatz programmieren und dann schützen, um den Inhalt dauerhaft zu sichern.Das Gerät verfügt auch über verschiedene Ebenen der Hardware- und Software-Schutz zu sichern Blöcke von unerwünschten Modifikation.
Eigenschaften:
• Technologie für Einzelzellen (SLC) • Dichte: 512 Mb • Versorgungsspannung VCC = 2,7 3.6 V (Programm, Löschen, Lesen) VCCQ = 1,65 - VCC (I/O-Puffer) • Asynchrone Zufalls-/Seitenlesung Seitengröße:16 Wörter oder 32 Bytes: 20ns Random Access: 95ns (VCC = VCCQ = 2.7-3.6V) Random Access: 100ns (VCCQ = 1.65-VCC) • Pufferprogramm (Pluginpuffer mit 512 Wörtern) 2.0 MB/s (TYP) bei Verwendung eines vollständigen Pufferprogramms 2.5 MB/s (TYP) bei Verwendung eines beschleunigten Pufferprogramms (VHH) • Word/Byte-Programm: 25us pro Wort (TYP) • Blocklöschung (128KB): 0,2s (TYP) • Gedächtnisorganisation 128KB or 64KW each – x8/x16 data bus • Program/erase suspend and resume capability – Read from another block during a PROGRAM SUSPEND operation – Read or program another block during an ERASE SUSPEND operation • Unlock bypass, Block löschen, Chip löschen und Buffer schreiben
Tabelle der Parameter:
Produktattribut | Attributivwert |
Hersteller: | Mikrontechnologie |
Produktkategorie: | NOR Flash |
RoHS: | - Ja, das ist es. |
Montageart: | SMD/SMT |
Packung / Gehäuse: | TSOP-56 |
Reihe: | MT28EW |
Speichergröße: | 512 Mbit |
Versorgungsspannung - Min: | 2.7 V |
Versorgungsspannung - Max: | 3.6 V |
Marke: | Mikron |
Typ der Ware: | NOR Flash |
Fabrikverpackung Menge: | 576 |
Unterkategorie: | Speicher und Datenspeicher |
Häufige Fragen:
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