Detalhes do produto:
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Lugar de origem: | Estados Unidos |
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Marca: | MICRON |
Número do modelo: | MT28EW512ABA1LJS-0SIT |
Condições de Pagamento e Envio:
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Quantidade de ordem mínima: | 50 PCS |
Preço: | RFQ |
Detalhes da embalagem: | ESD/Vacuum/Foam/Cartons |
Tempo de entrega: | Imediatamente |
Termos de pagamento: | T/T, Western Union, compromisso, Paypal, visto, MoneyGram |
Habilidade da fonte: | RFQ |
IC Circuitos integrados MT28EW512ABA1LJS-0SIT TSOP-56 NÃO Flash
Descrição do produto:
O dispositivo é um dispositivo de memória flash NOR paralelo de bloco uniforme e assíncrono. As operações READ, ERASE e PROGRAM são realizadas usando uma única fonte de baixa tensão.o dispositivo predefinido para ler o modo de matrizA matriz de memória principal é dividida em blocos uniformes que podem ser apagados independentemente para que os dados válidos possam ser preservados enquanto os dados antigos são purgados.Os comandos PROGRAMA e ERASE são escritos na interface de comando da memóriaUm controlador de programação/apagamento no chip simplifica o processo de programação ou apagamento da memória, cuidando de todas as operações especiais necessárias para atualizar o conteúdo da memória.O fim de uma operação de PROGRAMA ou ERASE pode ser detectado e qualquer condição de erro pode ser identificada. O conjunto de comandos necessário para controlar o dispositivo é consistente com os padrões JEDEC. CE#, OE# e WE# controlam a operação do autocarro do dispositivo e permitem uma conexão simples com a maioria dos microprocessadores,muitas vezes sem lógica adicionalO dispositivo suporta leitura aleatória assíncrona e leitura de página de todos os blocos da matriz.Ele também possui um buffer de programa interno que melhora o rendimento programando 512 palavras através de uma sequência de comandoUm bloco de memória estendida de 128 palavras sobrepõe endereços com bloco de matriz 0. Os usuários podem programar esse espaço adicional e protegê-lo para proteger permanentemente o conteúdo.O dispositivo também possui diferentes níveis de proteção de hardware e software para proteger os blocos de modificação indesejada.
Características:
• Tecnologia de célula de nível único (SLC) • Densidade: 512Mb • Tensão de alimentação VCC = 2.7 3.6V (programa, apagamento, leitura) VCCQ = 1.65 - VCC (buffers de entrada/saída) • Leitura aleatória / página assíncrona Tamanho da página:16 palavras ou 32 bytes: 20ns ️ Acesso aleatório: 95ns (VCC = VCCQ = 2.7-3.6V) ️ Acesso aleatório: 100ns (VCCQ = 1.65-VCC) • Programa de buffer (buffer de programa de 512 palavras) ️ 2,0 MB/s (TYP) quando se utiliza um programa de buffer completo ️ 2.5 MB/s (TYP) quando se utiliza um programa de buffer acelerado (VHH) • Programa Word/Byte: 25us por palavra (TYP) • Bloqueamento de bloqueio (128KB): 0,2s (TYP) • Organização da memória 128KB or 64KW each – x8/x16 data bus • Program/erase suspend and resume capability – Read from another block during a PROGRAM SUSPEND operation – Read or program another block during an ERASE SUSPEND operation • Unlock bypass, bloquear apagar, chip apagar, e escrever para capacidade de buffer
Tabela de parâmetros:
Atributo do produto | Atributo Valor |
Fabricante: | Tecnologia Micron |
Categoria do produto: | NÃO Flash |
RoHS: | - Sim, sim. |
Estilo de montagem: | SMD/SMT |
Embalagem / Caixa: | TSOP-56 |
Série: | MT28W |
Tamanho da memória: | 512 Mbit |
Voltagem de alimentação - Min: | 2.7 V |
Voltagem de alimentação - Max: | 3.6 V |
Marca: | Micron |
Tipo de produto: | NÃO Flash |
Embalagem de fábrica | 576 |
Subcategoria: | Memória e armazenamento de dados |
Perguntas frequentes:
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